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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC3446
描述
高
集电极 - 发射极击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 500V （最小值）
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
用于开关稳压器和通用
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
800
V
500
V
7
V
3
A
6
A
1
A
40
W
I
C
集电极电流连续
I
CM
集电极电流峰值
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
C
= 5毫安;
BE
=
∞
I
E
= 1m的情况;我
C
= 0
I
C
= 1.5A ;我
B
= 0.3A
I
C
= 1.5A ;我
B
= 0.3A
V
CB
= 500V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
民
800
500
7
2SC3446
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
10
10
50
V
V
μA
μA
电流增益带宽积
输出电容
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 0.3A ; V
CE
= 5V
15
8
I
C
= 1.5A ; V
CE
= 5V
I
C
= 0.3A ; V
CE
= 10V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
I
C
= 2A ，我
B1
= 0.4A ;我
B2
= -0.8A
R
L
= 100Ω; V
CC
= 200V
18
50
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
0.5
3.0
0.3
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
L
15-30
M
20-40
N
30-50
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC3446
描述
高
集电极 - 发射极击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 500V （最小值）
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
用于开关稳压器和通用
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
800
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
500
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发射极 - 基极电压
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集电极电流连续
3
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集电极电流峰值
6
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I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
1
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P
C
40
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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INCHANGE半导体
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
输出电容
条件
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
C
= 5毫安;
BE
=
∞
I
E
= 1m的情况;我
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= 0
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= 0; V
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= 1.0MHz的
15
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民
800
500
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典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
10
10
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V
V
μA
μA
18
50
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2A ，我
B1
= 0.4A ;我
B2
= -0.8A
R
L
= 100Ω; V
CC
= 200V
0.5
3.0
0.3
μs
μs
μs
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FE-1
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