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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3387
描述
·采用TO- 3PN封装
·高击穿电压
·快速开关速度
应用
·对于水平偏转输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1200
500
6
5
10
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3387
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安，我
B
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
15
民
500
6
5.0
1.5
10
10
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
A
A
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3387
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3387
描述
·带
TO- 3PN封装
高
击穿电压
·快速
开关速度
应用
For
水平偏转输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1200
500
6
5
10
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3387
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0
500
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
6
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ;我
E
=0
10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 4V ;我
C
=0
10
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
15
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3387
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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25AA040AT-I/MC
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2929SQ-431JEB
2520DX103K3
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    2SC3387
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    -
    -
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