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数据表
数据表
硅晶体管
2SC3356
微波低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
描述
该2SC3356是专为低一个NPN硅外延晶体管
噪声放大器的VHF ， UHF和CATV波段。
它具有的动态范围和良好的电流特性。
0.4
0.05
+0.1
包装尺寸
（单位：毫米）
2.8±0.2
1.5
0.65
0.15
+0.1
特点
低噪声和高增益
0.95
0.95
2.9±0.2
NF = 1.1 dB典型值。 ，G
a
= 11 dB典型值。 @V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1.0 GHz的
高功率增益
MAG = 13 dB典型值。 @V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 1.0 GHz的
2
绝对最大额定值（T
A
= 25

C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑

65
20
12
3.0
100
200
150
+150
V
V
V
mA
mW

C

C
0.3
记号
1.1至1.4
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性（T
A
= 25

C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
f
T
C
re
**
50
120
7
0.55
11.5
1.1
2.0
1.0
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
300
GHz的
pF
dB
dB
单位
测试条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1.0 GHz的

A

A

S
21
e

2
NF
*
脉冲测量PW

350

S，占空比

2 %
**的发射端和外壳应连接到三端电容桥的守卫终端。
h
FE
分类
类
记号
h
FE
R23 / Q *
R23
50至100
R24/R *
R24
80至160
R25 / S *
R25
125至250
*旧规格/新规范
一号文件P10356EJ5V1DS00 （第5版）
发布日期1997年三月
日本印刷
0-0.1
0.16
0.06
+0.1
0.4
0.05
+0.1
1
3
1985
2SC3356
典型特征（T
A
= 25

C)
总功耗对比
环境温度
2
反馈电容与
集电极 - 基极电压
P
T
- 总功率耗散mW的
200
C
re
-Feed回电容pF的
自由的空气
F = 1.0 MHz的
1
100
0.5
0
50
100
150
0.3
0
0.5
1
2
5
10
20
30
T
A
- 环境温度 - ℃，
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
V
CE
= 10 V
15
V
CB
-collector基极电压-V
插入增益与
集电极电流
h
FE
-DC电流增益
100
|S
21e
|
2
-Insertion增益分贝
10
50
5
V
CE
= 10 V
F = 1.0 GHz的
1
5
10
50 70
I
C
-collector电流毫安
20
10
0.5
1
5
10
50
0
0.5
I
C
-collector电流毫安
增益带宽积主场迎战
集电极电流
10
插入增益，最大增益
与频率的关系
G
最大
f
T
- 获得带宽积兆赫
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
0.1
0
0.5 1.0
5.0 10
30
G
最大
- 最大增益分贝
|S
21e
|
2
-Insertion增益分贝
5.0
20
|S
21e
|
2
10
0
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安
0.1
0.2
0.4 0.6 0.81.0
2
F-频率GHz的
I
C
-collector电流毫安
2
2SC3356
噪声系数与
集电极电流
7
6
NF-噪声系数分贝
V
CE
= 10 V
F = 1.0 GHz的
|S
21e
|
2
-Insertion增益分贝
18
15
NF-噪声系数分贝
5
4
3
2
1
0
0.5
1
5
10
50 70
噪声系数，转发插入
增益与集电极到发射极电压
5
F = 1.0 GHz的
I
C
= 20毫安
4
|S
21e
|
2
3
2
NF
1
12
6
3
0
0
2
4
6
8
10
I
C
-collector电流毫安
V
CE
-collector到发射极电压-V
S参数
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安，Z
O
= 50

F（兆赫）
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000

S
11

0.651
0.467
0.391
0.360
0.360
0.361
0.381
0.398
0.423
0.445

S
11

69.3

113.3

139.3

159.2

176.9
172.7
160.3
152.2
143.3
137.6

S
21

10.616
6.856
4.852
3.802
3.098
2.646
2.298
2.071
1.836
1.689

S
21
129.3
104.4
90.9
81.2
72.9
67.3
59.3
55.2
49.0
46.2

S
12

0.051
0.071
0.086
0.101
0.118
0.137
0.157
0.180
0.203
0.220

S
12
59.2
54.4
56.0
59.1
61.0
63.5
63.3
64.1
63.7
64.7

S
22

0.735
0.550
0.468
0.426
0.397
0.373
0.360
0.337
0.320
0.302

S
22

28.1

34.1

33.9

33.6

35.7

38.3

43.0

45.9

52.3

52.2
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安，Z
O
= 50

F（兆赫）
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000

S
11

0.339
0.258
0.243
0.242
0.260
0.269
0.294
0.314
0.343
0.367

S
11

107.0

147.3

167.7
177.0
164.5
157.6
148.7
143.1
136.5
131.4

S
21

16.516
8.928
6.022
4.633
3.744
3.193
2.750
2.479
2.185
2.016

S
21
108.7
92.1
83.0
76.2
69.9
65.7
58.8
55.5
50.1
47.8

S
12

0.035
0.060
0.085
0.109
0.136
0.160
0.187
0.212
0.238
0.254

S
12
66.1
71.0
71.9
72.2
70.4
69.9
66.7
65.2
62.4
61.6

S
22

0.459
0.343
0.305
0.284
0.266
0.246
0.233
0.208
0.190
0.173

S
22

36.6

32.9

29.9

29.4

31.7

35.0

40.4

43.6

50.5

48.3
3
2SC3356
S参数
S
11e
, S
22e
- 频率
条件
V
CE
= 10 V
200 MHz的步骤
0.
0.
0. 06
44
0
07
43
0.
0
13
8
0.0 2
0.4
.09
0.9
1.0
0.8
1.2
1
0.4
0.10
0.40
0.11
0.39
100
0.12
0.38
0.13
0.37
90
0.14
0.36
80
0.15
0.35
110
0.7
70
1.4
0.1
6
0.3
4
0.6
1.8
0.2
1.6
12
0
6
00
0.1
0.3
7
3
0.
5
0 .0
0.4
5
5
POS
14
ITIV
0
ER
EA
CT
+
A
- JX
的nCE
Z
O
––
CO
M
PO
N
T
EN
0.4
2.0
0.
1
0. 8
32
50
19
0.
31
0.
0
0.2 0
40
0.3
WAVELE
NGTH
S
0.02
往
0.0
基因
0.48
47
3
RA
0.
W
屈曲
系数可
0.4
0.0
器
6
IN
DE
7
.03
THS
TO
GLE
OF
RE
0
NG
4
GRE
0.4
0
AN
E
0.4
ES
0
04
VEL
16
6
0.
WA
15
0
)
(
0.01
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
0
0
0.49
0.48
0.01
0.02
RD
负载
A
0.1
0.4
0.6
S
22e
0.
8
T
NEN
PO
OM
EC
NC
TA
X –
AC
J –
O
RE
––Z
E
IV
AT
50
1
)
0.3
(
5
0.4
5
0.0
0.
06
40
0.
1
0.
4
I
C
= 5毫安
0.
4
0.3
6
3
0.1
0.3
7
0.1
60
32
18
0.
0
1.6
1.8
44
0.
5
S
21e
- 频率
条件
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安
90°
120°
0.2 GHz的
60°
150°
S
21e
30°
150°
180°
2.0 GHz的5
10
15
20
0° 180°
150°
30°
150°
120°
90°
60°
4
0.35
0.15
70
0.36
0.14
80
0.37
0.13
90
0.38
0.12
0.39
0.11
1
00
0.40
0.10
11
0
0.4
1
0
0.4
0.0
2
20
8
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
2.0
120°
120°
90°
3.
0
0.2 GHz的
5.0
4.0
5
1.0
I
C
= 20毫安
0.8
0.6
1.
0
0.2
I
C
= 5毫安
0.2 GHz的
20
50
电抗分量
R
––––
0.2
Z
O
(
)
10
0.4
0.4
S
11e
0
1.
0.2 GHz的我
C
= 20毫安
0.8
0.6
0.2
0.2
.09
1
NE
G
1
0.
4
0.
3
07
30
0.
4
0.6
3.
0.8
0
1
0.2
9
0.2
30
0.3
4.0
0.24
0.23
0.26
2
0.2
0.27
8
10
0.2
20
0
1.
2.0 GHz的
6.0
0.2
10
0.1
20
50
0.25
0.25
0
0.3
0.2
0
0
0.26
0.27
0.24
0.2
0.23
8
0.2
10
0.2
2
9
20
0.2
1
3
0
4
0
0.
0.
31
19
S
12e
- 频率
条件
90°
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安
2.0 GHz的
60°
S
12e
30°
0.2 GHz的
0.05
0.1
0.15
0°
0.2 0.25
30°
60°
2SC3356
[备忘录]
5
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2SK3179
280-006H5BP
22-28-2235
2SC4639-7
24AA02HT-I/ST
268.75
2SK2605_06
226LCA6R3M
2SC4682
2N3506L
2SD2028-7
28C64AFT-25SO
275U320A501B1A1
26PCJNG5G
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