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2SC3326

东芝三极管

硅NPN外延型（厘过程）

2SC3326

对于静音和开关应用

高发射极 - 基极电压： V

EBO

= 25 V （分钟）

高逆H

：逆H

= 150 （典型值）（V

V，I

毫安）

低导通电阻，R

= 1

（ TYP。）（我

= 5 mA）的

高直流电流增益：H

= 200~1200

小型封装

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

300

150

125

55~125

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

TO-236MOD

SC-59

2-3F1A

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

重0.012克（典型值）

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）是

内的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

记号

2007-11-01

2SC3326

电气特性

（大

25°C)

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

符号

CBO

EBO

（注）

CE （SAT）

测试条件

50 V，I

25 V，I

2 V，I

4毫安

30毫安，我

3毫安

2 V，I

4毫安

6 V，I

4毫安

10 V，I

0, f

1兆赫

民

200

典型值。

0.042

0.61

4.8

160

最大

0.1

1200

0.1

兆赫

单位

μA

开关时间

贮存时间

英镑

500

下降时间

占空比

＆ LT ;

130

注：H

A类： 200 700 ， B： 350 1200

2007-11-01

2SC3326

2007-11-01

2SC3326

2007-11-01

2SC3326

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2007-11-01