【SMD型NPN硅外延2SC3324SOT-23+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1晶体管单位】,IC型号2SC3324,2SC3324 PDF资料,2SC3324经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

NPN硅外延

2SC3324

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

晶体管

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

高hFE.hFE = 200700

低噪声。

小包装。

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

高voltageV

首席执行官

=120V

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

120

100

150

125

-55到+125

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

噪声系数

符号

CBO

EBO

Testconditons

= 120 V，I

= 0

= 5 V，I

= 0

= 6 V，I

= 2毫安

200

民

典型值

最大

0.1

700

0.3

100

0.5

0.2

兆赫

单位

ìA

CE （SAT）

= 10 mA时，我

= 1毫安

= 6 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 6 V，I

= 0.1毫安， F = 100赫兹，R

=10 k

= 6 V，I

= 0.1毫安， F = 1千赫，R

=10 k

分类

记号

秩

的hFE

CBG

200 400

CBL

350 700

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

www.kexin.com.cn

2SC3324

东芝三极管

硅NPN外延型（厘过程）

2SC3324

音频频率低噪声放大器的应用

高电压： V

首席执行官

= 120 V

优秀

线性：H

= 0.1毫安） /小时

= 2 mA）的

= 0.95 （典型值）。

高

FE ：

= 200~700

低噪声（典型值） NF （ 2 ） = 0.2分贝， 3分贝（最大值）

补充2SA1312

小型封装

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

120

100

150

125

55~125

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

TO-236MOD

SC-59

2-3F1A

重0.012克（典型值）

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品

减少在可靠性显著即使操作条件（即操作

温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

记号

2007-11-01

2SC3324

电气特性

（大

25°C)

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

CBO

EBO

（注）

CE （SAT）

NF （1）

噪声系数

NF（ 2）

测试条件

120 V，I

5 V，I

6 V，I

2毫安

10毫安，我

1毫安

6 V，I

1毫安

10 V，I

0, f

1兆赫

6 V，I

0.1毫安，女

100赫兹，

10 kΩ

6 V，I

0.1毫安，女

1千赫，

10 kΩ

民

200

典型值。

100

0.5

0.2

最大

0.1

700

0.3

兆赫

单位

μA

注：H

分类GR （ G）： 200 400 ， BL （ L）： 350 700

（）标记符号

2007-11-01

2SC3324

2007-11-01

2SC3324

2007-11-01

2SC3324

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01

产品speci fi cation

2SC3324

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

高hFE.hFE = 200700

低噪声。

小包装。

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

高voltageV

首席执行官

=120V

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

120

100

150

125

-55到+125

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

噪声系数

符号

CBO

EBO

Testconditons

= 120 V，I

= 0

= 5 V，I

= 0

= 6 V，I

= 2毫安

200

民

典型值

最大

0.1

700

0.3

100

0.5

0.2

兆赫

单位

ìA

CE （SAT）

= 10 mA时，我

= 1毫安

= 6 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 6 V，I

= 0.1毫安， F = 100赫兹，R

=10 k

= 6 V，I

= 0.1毫安， F = 1千赫，R

=10 k

分类

记号

秩

的hFE

CBG

200 400

CBL

350 700

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

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