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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3320
描述
·带
TO- 3PN封装
电压,高速开关
可靠性
应用
切换
稳压器
·超声波
发电机
变频调速器
■一般
目的功率放大器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
7
15
5
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
日(J -C )
参数
从结热阻到外壳
价值
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安,我
C
=0
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 6A ,我
B
=1.2A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
10
400
500
7
2SC3320
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
1.0
1.0
V
V
mA
mA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 7.5A我
B1
=1.5A
I
B2
= -3A
L
=20Ω
P
W
=20μs;Duty=<2%
0.5
1.5
0.15
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3320
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3320
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3320
描述
·带
TO- 3PN封装
电压,高速开关
可靠性
应用
切换
稳压器
·超声波
发电机
变频调速器
■一般
目的功率放大器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
OR
CT
U
价值
500
400
7
15
5
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
日(J -C )
参数
从结热阻到外壳
价值
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安,我
C
=0
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 6A ,我
B
=1.2A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
10
400
500
7
2SC3320
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
1.0
1.0
V
V
mA
mA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
贮存时间
下降时间
I
C
= 7.5A我
B1
=1.5A
I
B2
= -3A
L
=20Ω
P
W
=20μs;Duty=<2%
OR
CT
U
0.5
1.5
0.15
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3320
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3320
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SC3320
NPN外延硅晶体管
高压高速
开关
特点
*高电压,高速开关
*高可靠性
1
TO-3P
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2SC3320L-x-T3P-T
2SC3320L-x-T3P-T
TO-3P
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
2SC3320L-x-T3P-T
( 1 )包装类型
( 2 )封装类型
(3)Rank
( 4 )无铅
( 1 ) T:管
( 2 ) T3P : TO- 3P
(3 )× :指h的分类
FE1
( 4 )G :无卤,L :无铅
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R214-008,D
2SC3320
参数
集电极 - 基极电压
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
(
T
C
= 25℃)
符号
评级
单位
V
CBO
500
V
V
首席执行官
400
V
集电极 - 发射极电压
V
CEO ( SUS )
400
V
发射极电压
V
EBO
7
V
集电极电流
I
C
15
A
基极电流
I
B
5
A
功耗
P
D
80
W
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
注1:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到外壳
符号
θ
JC
评级
1.55
单位
℃/W
电气规格
(T
C
= 25 ℃ ,除非另有说明)。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
开关时间
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CEO ( SUS )
V
EBO
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
I
CBO
I
EBO
h
FE
t
ON
t
英镑
t
F
测试条件
I
CBO
=1mA
I
首席执行官
=10mA
I
C
=0.2A
I
EBO
=1mA
I
C
= 6A ,我
B
=1.2A
V
CBO
=500V
V
EBO
=7V
I
C
= 6A ,V
CE
=5V
I
C
= 7.5A ,我
B1
= 1.5A ,我
B2
=-3A
R
L
= 20Ω , PW = 20μs的,职务
2%
500
400
400
7
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
μs
μs
μs
10
1
1.5
1
1
45
0.5
1.5
0.15
分类h及
FE
范围
A
10~15
B
15~20
C
20~25
D
25~30
E
30~35
F
35~45
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R214-008,D
2SC3320
开关时间测试电路
NPN外延硅晶体管
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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3 5
QW-R214-008,D
2SC3320
典型特征
NPN外延硅晶体管
集电极 - 发射极电压,V
CE
(V)
基极和集电极饱和电压
4
3
1
0.5
0.3
V
CE ( SAT )
0.1
0.05
0.03
0.01
0.05 0.1
V
BE ( SAT )
T
C
=25℃I
C
=5I
B
30
直流电流增益,H
FE
安全工作区
10
10
5
3
1
0.5
0.3
T
C
=25℃
0.05单脉冲
0.03
1
3
5
10
0.1
s
P
W
=1ms
DC
0
10
s
0.3 0.5
1
3
5
10
20
30 50 100
300 500 1000
集电极电流,I
C
(A)
集电极 - 发射极电压,V
CE
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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4 5
QW-R214-008,D
2SC3320
NPN外延硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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5
QW-R214-008,D
富士半导体公司 - P.O.箱702708 - 达拉斯,德克萨斯州75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3320
描述
·采用TO- 3PN封装
高电压,高速开关
高可靠性
应用
开关稳压器
超声波发生器
高频逆变器
通用功率放大器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
7
15
5
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
日(J -C )
参数
从结热阻到外壳
价值
1.56
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安,我
C
=0
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 6A ,我
B
=1.2A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
10
400
500
7
2SC3320
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
1.0
1.0
V
V
mA
mA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 7.5A我
B1
=1.5A
I
B2
= -3A
L
=20C
P
W
=20s;Duty=<2%
0.5
1.5
0.15
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3320
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3320
4
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SC3320
高压高速
开关
特点
*高电压,高速开关
*高可靠性
NPN硅晶体管
1
TO-3P
*无铅电镀产品编号: 2SC3320L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SC3320-T3P-T
2SC3320L-T3P-T
引脚分配
1
2
3
B
C
E
TO-3P
填料
2SC3320L-T3P-T
( 1 )包装类型
( 2 )封装类型
( 3 )铅电镀
( 1 ) T:管
( 2 ) T3P : TO- 3P
( 3)L :无铅电镀,空白:铅/锡
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2005 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R214-008,B
2SC3320
绝对最大额定值
(
T
C
= 25℃)
参数
NPN硅晶体管
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
500
V
V
首席执行官
400
V
集电极 - 发射极电压
400
V
V
CEO ( SUS )
发射极电压
V
EBO
7
V
集电极电流
I
C
15
A
基极电流
I
B
5
A
功耗
P
D
80
W
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
热阻结到外壳
符号
θ
JC
评级
1.55
单位
℃/W
电气规格
(T
C
= 25 ℃ ,除非另有说明)。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
开关时间
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CEO ( SUS )
V
EBO
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
I
CBO
I
EBO
h
FE
t
ON
t
英镑
t
F
测试条件
I
CBO
=1mA
I
首席执行官
=10mA
I
C
=0.2A
I
EBO
=1mA
I
C
= 6A ,我
B
=1.2A
V
CBO
=500V
V
EBO
=7V
I
C
= 6A ,V
CE
=5V
I
C
= 7.5A ,我
B1
= 1.5A ,我
B2
=-3A
R
L
= 20Ω , PW = 20μs的,职务
2%
500
400
400
7
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
s
s
s
1
1.5
1
1
10
0.5
1.5
0.15
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R214-008,B
2SC3320
开关时间测试电路
R
L
=20Ω
NPN硅晶体管
I
B1
I
B2
I
B1
I
B2
I
C
0.9I
C
I
C
P
W
=20μs
t
ON
0.1I
C
t
英镑
t
F
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R214-008,B
2SC3320
典型特征
集电极输出特性
5
NPN硅晶体管
直流电流增益
300
100
50
30
10
5
3
1
T
C
=150℃ 75℃ 25℃ -50℃
V
CE
=5V
集电极 - 发射极电压,V
CE
(V)
3
I
C
=1A
2A
3A
5A
10A
T
C
=25℃
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.03 0.05 0.1
直流电流增益,H
FE
0.3 0.5
1
3
5
0.05 0.1
0.3 0.5
1
3
5
10 15
基极电流,我
B
(A)
基极和集电极饱和电压
4
3
1
0.5
0.3
V
CE ( SAT )
0.1
0.05
0.03
0.01
0.05 0.1
V
BE ( SAT )
T
C
=25℃I
C
=5I
B
30
10
集电极电流,I
C
(A)
集电极电流,I
C
(A)
安全工作区
10
μ
0
μ
10
s
饱和电压V
CE (SAT) ,
V
BE (SAT)
(V)
s
5
3
1
0.5
0.3
T
C
=25℃
0.05单脉冲
0.03
1
3 5
10
0.1
P
W
=1ms
DC
0.3 0.5
1
3
5
10
20
30 50 100
300 5001000
集电极电流,I
C
(A)
集电极 - 发射极电压,V
CE
(V)
开关时间
1.5
1
t
英镑
切换时间( μS )
0.5
0.3
t
ON
0.1
T
C
=25℃
0.05 V
CC
=150V
I
C
=5I
B1
=-2.5I
B2
0.03
0.5
1
t
F
3
5
10
25
集电极电流,I
C
(A)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R214-008,B
2SC3320
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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QW-R214-008,B
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