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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第546页 > 2SC3307
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3307
描述
·带
TO -3PL包
优秀
开关时间
:
t
r
=1.0
μs（最大值
.),t
f
=1.0μs(Max
.)(I
C
=5A)
高
集电极击穿电压： V
首席执行官
=800V
应用
高
高速，高电压开关应用
切换
稳压器应用
高
加快DC - DC转换器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PL）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
800
7
10
15
3
150
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
10
10
民
800
900
2SC3307
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
1
V
V
μA
mA
开关时间
t
r
t
英镑
t
f
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1A ; V
CC
≈400V
I
B1
=-I
B2
=0.4A
1.0
3.0
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3307
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.50毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3307
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3307
描述
·采用TO -3PL包
·优秀的开关时间
:
t
r
=1.0
μs（最大值
.),t
f
=1.0s(Max
.)(I
C
=5A)
·高集电极击穿电压： V
首席执行官
=800V
应用
·高速，高电压开关应用
·开关稳压器的应用
·高速的DC-DC转换器的应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PL）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
800
7
10
15
3
150
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
10
10
民
800
900
2SC3307
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
1
V
V
A
mA
开关时间
t
r
t
英镑
t
f
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1A ; V
CC
?400V
I
B1
=-I
B2
=0.4A
1.0
3.0
1.0
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3307
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.50毫米）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3307
4
2SC3307
东芝三极管
硅NPN三重DIFFUSED TYPE
2SC3307
高速和高压开关的应用
开关稳压器的应用
高速DC- DC转换器应用
工业应用
单位：mm
出色的开关时间：吨
r
= 1.0
μs
（最大值），叔
f
= 1.0
μs
（最大）
(I
C
= 5 A)
高集电极击穿电压： V
首席执行官
= 800 V
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
900
800
7
10
15
3
150
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-21F1A
重量： 9.75克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
1
2006-11-09
2SC3307
电气特性
（ TC = 25 ° C）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
上升时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
h
FE （2）
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
t
r
20
μs
开关时间
I
B1
贮存时间
t
英镑
输入
I
B2
I
B1
I
B2
测试条件
V
CB
= 800 V，I
E
= 0
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
E
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 5 A
I
C
= 5 A，I
B
= 1 A
I
C
= 5 A，I
B
= 1 A
I
C
= 1 A输出
400
民
―
―
900
800
10
10
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
最大
100
1
―
―
―
―
1.0
1.5
1.0
V
V
单位
μA
mA
V
V
―
―
3.0
μs
V
CC
≈
400 V
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 0.4 A，占空比
≤
1%
―
―
1.0
记号
产品型号（或缩写代码）
东芝
2SC3307
LOT号
日本
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-09
2SC3307
I
C
– V
CE
12
2
10
1.6
1.4
1.2
8
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
IB = 0.1 A
2
0
2
4
6
8
10
共发射极
TC = 25°C
500
300
h
FE
– I
C
共发射极
VCE = 5 V
直流电流增益
FE
(A)
100
50
30
10
5
3
1
TC = 100℃
25
55
集电极电流I
C
6
4
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0
0
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
3
1
0.5
0.3
TC = 100℃
0.1
0.05
0.02
25
55
V
BE （SAT）
– I
C
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
共发射极
IC / IB = 5
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
100
25
TC =
55°C
共发射极
IC / IB = 5
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
I
C
– V
BE
10
共发射极
VCE = 5 V
8
10
30
开关特性
IC = 10IB1
IB1 =
I
B2
脉冲宽度= 20
μs
占空比
≤
1%
5
3
TC = 100℃
25
1
0.5
0.3
25
100
TSTG
tr
tf
(A)
集电极电流I
C
6
TA = 100℃
4
25
2
55
0
0
切换时间（ μS ）
1.0
1.2
1.4
0.2
0.4
0.6
0.8
0.1
0
2
4
6
8
10
基射极电压
V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
3
2006-11-09
2SC3307
r
th
– t
w
100
曲线应该被施加到限热
区。 （单非重复脉冲）
（ 1 ）无限散热器
（ 2 ）无散热片
10
(2)
瞬态热阻
r
th
（ ° C / W）
30
3
(1)
1
0.3
0.1
0.03
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
30
集成电路最大值（脉冲） *
10
10
μs*
100
μs*
IC最大
5 （连续）
500
μs*
1毫秒*
(A)
I
C
3
集电极电流
1
0.5
0.3
3
10毫秒*
30毫秒*
100毫秒*
0.1
*:
单一不重复的脉冲
0.05
0.03
TC = 25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.01
3
10
30
100
最大VCEO
300
1000
直流操作
TC = 25°C
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
2006-11-09
2SC3307
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2006-11-09
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3307
描述
·带
TO -3PL包
优秀
开关时间
:
t
r
=1.0
μs（最大值
.),t
f
=1.0μs(Max
.)(I
C
=5A)
高
集电极击穿电压： V
首席执行官
=800V
应用
高
高速，高电压开关应用
切换
稳压器应用
高
加快DC - DC转换器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
开基
集电极开路
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PL）和符号
OR
CT
U
价值
900
800
7
10
15
3
150
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
10
民
800
900
2SC3307
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
1
V
V
μA
mA
开关时间
t
r
t
英镑
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1A ; V
CC
≈400V
I
B1
=-I
B2
=0.4A
OR
CT
U
10
1.0
3.0
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3307
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.50毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3307
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
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295S220R253B31
2N3416_01
2082-6041-05
293D106X9016B2TE3
2-796700-0
2040.0614
2-104257-4
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22RIA60S90
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2SC4093
2SC3090N
240L050
25101.5AE000
2SB884
2SK2052
2SD1869
2-794615-4
2315065
2SC4391
供货商
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    -
    -
    -
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2SC3307
TOSHIBA
25+
32560
TO-3PL
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市豪迈兴电子有限公司
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2SC3307
TOSHIBA
2346+
69643
TO-3P(L)
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