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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第656页 > 2SC3265
SMD型
NPN硅外延
2SC3265
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
高直流电流增益:H
FE
(1) = 100320.
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.4伏(最大)
(I
C
= 500毫安,我
B
= 20 mA)的。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
等级
30
25
5
800
160
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 30 V,I
E
= 0
V
EB
= 50 V , IC = 0
25
5
100
320
0.4
0.5
120
13
0.8
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
V
V
V
( BR ) CEO
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= 0.1毫安,我
C
= 0
h
FE
V
CE
= 1 V,I
C
= 100毫安
V
CE (SAT)
I
C
= 500毫安,我
B
= 20毫安
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= 1 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
EO
100
200
EY
160 320
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
2SC3265
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
2SC3265
低频功率放大器的应用
电源开关应用
·
·
·
高直流电流增益:H
FE (1)
= 100~320
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.4伏(最大)
(I
C
= 500毫安,我
B
= 20 mA)的
补充2SA1298
单位:mm
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
25
5
800
160
200
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
h
FE (1)
直流电流增益
(注)
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE (SAT)
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
30 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
I
C
=
10毫安,我
B
=
0
I
E
=
0.1毫安,我
C
=
0
V
CE
=
1 V,I
C
=
百毫安
V
CE
=
1 V,I
C
=
800毫安
I
C
=
500毫安,我
B
=
20毫安
V
CE
=
1 V,I
C
=
10毫安
V
CE
=
5 V,I
C
=
10毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
重0.012克(典型值)
25
5
100
40
0.5
典型值。
120
13
最大
0.1
0.1
320
0.4
0.8
V
V
兆赫
pF
单位
mA
mA
V
V
注:H
FE (1)
分类
○: 100 200 , Y: 160 320
记号
1
2003-03-25
2SC3265
2
2003-03-25
2SC3265
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
3
2003-03-25
2SC3265
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
2SC3265
低频功率放大器的应用
电源开关应用
高直流电流增益:H
FE (1)
= 100~320
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.4伏(最大)
(I
C
= 500毫安,我
B
= 20 mA)的
补充2SA1298
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
25
5
800
160
200
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
JEDEC
TO-236MOD
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
JEITA
SC-59
可靠性显著即使工作条件下(即
东芝
2-3F1A
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。
重0.012克(典型值)
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告,
估计的故障率,等)。
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
h
FE (1)
(注)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
30 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
I
C
=
10毫安,我
B
=
0
I
E
=
0.1毫安,我
C
=
0
V
CE
=
1 V,I
C
=
百毫安
V
CE
=
1 V,I
C
=
800毫安
I
C
=
500毫安,我
B
=
20毫安
V
CE
=
1 V,I
C
=
10毫安
V
CE
=
5 V,I
C
=
10毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
25
5
100
40
0.5
典型值。
120
13
最大
0.1
0.1
320
0.4
0.8
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
V
注:H
FE (1)
分类○: 100 200 , Y: 160 320
1
2007-11-01
2SC3265
记号
2
2007-11-01
2SC3265
3
2007-11-01
2SC3265
限制产品使用
东芝公司及其子公司和联营公司(统称为“ TOSHIBA” ) ,保留更改信息的权利
在这个文件中,以及相关的硬件,软件和系统(统称为“产品”) ,恕不另行通知。
本文档的任何信息均不得转载未经东芝事先书面许可。即使
东芝的书面许可,复制是允许的,只要还原度没有改变/遗漏。
虽然东芝的作品不断地提高产品的质量和可靠性,产品可能出现故障或失败。客户
负责符合安全标准,并提供足够的设计和保障他们的硬件,软件和
这最大限度地降低风险,并避免出现在产品的故障或失效可能导致生命丧失,身体系统
人身伤害或财产损失,包括数据丢失或损坏。在创建和生产设计和使用,客户必须
也指并遵守第(一)所有相关信息东芝的最新版本,包括但不限于本文件,
规格,数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA
半导体可靠性手册“和(b)对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户
独自负责其自己的产品设计或应用程序的所有方面,包括但不限于: (a)确定的
使用此类设计或应用该产品的适当性; ( b)评价和确定的任何适用性
本文档中包含的信息,或图表,图表,程序,算法,样本应用电路,或其他任何
引用的文件; (三)验证了这样的设计和应用的所有工作参数。
东芝不承担任何
责任为客户的产品设计或应用。
产品适用于一般电子设备的应用程序(使用例如,计算机,个人设备,办公设备,测量
设备,工业机器人和家用电子电器) ,或针对特定应用本文件中的明确规定。
产品既不打算也不保证在设备或系统的使用要求非常高的质量水平和/或
可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命,人身伤害,严重财产损失或严重损失
公众的影响( “误用”)。意想不到的用途包括,但不限于核设施中使用的设备,二手设备
在航空航天工业,医疗设备,用于汽车,火车,轮船等运输,交通信号设备
设备,用来控制发火或爆炸,安全装置,电梯和自动扶梯设备,相关电力设备
电力,装备财务相关领域。不要使用产品的误用,除非在此特别许可
文档。
请勿拆解,分析,逆向工程,变更,修改,翻译或复制的产品,不论是全部或部分转载。
产品不应被用于或结合到任何产品或系统的制造,使用或销售下任何被禁止的
适用的法律或规例。
此处包含的信息显示仅作为产品使用指导。承担任何责任东芝对于任何
侵犯第三方专利或可能导致使用产品,任何其他知识产权。无许可证
任何知识产权授予本文档,无论明示或暗示,禁止反言或其他方式。
如果没有书面签署的协议,除非在有关的销售条款和条件
如欲了解产品,而到了最大范围内法律允许, TOSHIBA ( 1 )不承担任何责任
负责,包括但不限于,间接的,继发的,特殊的或偶然的损坏或
损失,包括但不限于利润损失,机会损失,营业中断及
数据丢失;(2 )拒绝任何明示或暗示的保证以及与条件
销售,使用的产品,或信息,包括有关适销性条件,适
适用于特定用途,精度信息,或不侵权的。
不要使用或以其他方式提供产品或相关软件或技术进行任何军事目的,包括但
限制,在设计,开发,使用,核武器,化学武器或生物武器或导弹储存或生产
技术产品(大规模杀伤武器) 。产品及相关软件和技术可根据被控制
日本外汇及外国贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口产品
或相关软件或技术被严格禁止的项目除外遵守所有适用的出口法律和法规。
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
4
2007-11-01
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SC3265
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
高直流电流增益:H
FE
(1) = 100320.
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.4伏(最大)
(I
C
= 500毫安,我
B
= 20 mA)的。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
等级
30
25
5
800
160
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 30 V,I
E
= 0
V
EB
= 50 V , IC = 0
25
5
100
320
0.4
0.5
120
13
0.8
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
V
V
V
( BR ) CEO
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= 0.1毫安,我
C
= 0
h
FE
V
CE
= 1 V,I
C
= 100毫安
V
CE (SAT)
I
C
= 500毫安,我
B
= 20毫安
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= 1 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
EO
100
200
EY
160 320
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
RoHS指令
2SC3265LT1
NPN外延硅晶体管
SOT-23
3
1
2
到2SA1298LT1
集电极电流: IC = 500毫安
集电极耗散: PC =为225mW
( TC = 25℃ )
0.95
1.
o
2.4
1.3
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
TA = 25℃ *
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
T
j
P
D
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压#
发射极 - 基极击穿电压
集热器
截止目前
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
W
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
输出电容
电流增益带宽积
J
E
E
C
E
L
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
R
T
T
英镑
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE
C
ob
f
T
O
N
100
100
C
I
等级
40
25
6
500
225
150
-55-150
V
V
V
nA
nA
C
O
0.4
O
O
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
2.9
1.9
L
,
.
单位:mm
o
D
T
0.95
( TA = 25℃ )
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
( TA = 25℃ )
o
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
40
25
6
测试条件
I
C
=我为100uA
E
=0
I
C
= 1毫安我
B
=0
I
E
=我为100uA
C
=0
V
CB
= 35V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=5mA
V
CE
= 1V ,我
C
=50mA
V
CE
= 1V ,我
C
=500mA
45
85
30
0.28
0.98
0.66
9
100
190
o
160
300
0.5
1.2
1
V
V
V
PF
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
CE
= 1V ,我
C
=10mA
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
兆赫V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
*器件总功耗: FR = 1X0.75X0.062在董事会,减额
25 C
#
脉冲测试:脉宽300US ,占空比
2%
2SC3265LTI=A6
永而佳电子有限公司。
HTTP : // www.wej.cn
电子信箱: wej@yongerjia.com
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC3265
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885659455 复制

电话:0755-83951431
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
2SC3265
友台 UMW
23+
12000
SOT-23-3
0.06¥/片,原装在这里!!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:657995889 复制

电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
2SC3265
KF科范微半导体
22+
16000
SOT-23
原装正品自家库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
2SC3265
TOSHIBA/东芝
24+
33200
原装正品,可含税供应。品质保障
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
2SC3265
KEFAN/科范微
24+
898000
SOT-23
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
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