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江苏长电科技股份有限公司
TO- 92MOD塑封装晶体管
2SC3243
特点
功耗
P
CM
:
0.9
W（环境温度Tamb = 25℃）
3.
BASE
晶体管（ NPN ）
TO-92MOD
1.
辐射源
2.
集热器
集电极电流
1
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
60
V
V
（ BR ） CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
123
除非另有规定编）
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
10
A，I
E
=0
IC 。
2
妈，我
B
=0
I
E
=
10
μA ，我
C
=0
V
CB
=
50
V，I
E
=0
V
EB
=
4
V，I
C
=0
V
CE
= 4V ，我
C
=
100
mA
I
C
=
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妈，我
B
=
25
mA
V
CE
=
2
V，I
C
=
10
mA
V
CB
=
10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
60
60
6
0.2
0.2
55
300
0.3
80
25
A
A
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
秩
范围
记号
C
55-110
D
90-180
E
150-300
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92MOD塑封装晶体管
2SC3243
特点
功耗
P
CM
:
0.9
W（环境温度Tamb = 25℃）
3.
BASE
晶体管（ NPN ）
TO-92MOD
1.
辐射源
2.
集热器
集电极电流
1
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
60
V
V
（ BR ） CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
123
除非另有规定编）
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
10
A，I
E
=0
IC 。
2
妈，我
B
=0
I
E
=
10
μA ，我
C
=0
V
CB
=
50
V，I
E
=0
V
EB
=
4
V，I
C
=0
V
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C
=
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mA
I
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25
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V
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=
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C
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1
兆赫
60
60
6
0.2
0.2
55
300
0.3
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A
A
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兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
秩
范围
记号
C
55-110
D
90-180
E
150-300
谏早电子股份有限公司
谏早电子股份有限公司
谏早电子股份有限公司
http://www.idc-com.co.jp
6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065 ，日本
保持安全的电路设计！
谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有麻烦可能会与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，
火灾或财产damage.Remember让您的电路设计时，安全兼顾，以适当的措施
例如（i ）放置替代的，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或（iii）防止对任何故障
或事故。
对于这些材料的注意事项
这些材料的目的是作为参考，帮助了客户在谏早市的半导体产品的选择
最适合客户的应用，不传达任何许可下的任何知识产权，或其他任何
权，属于谏早电子公司或第三方。
谏早电子公司承担的任何第三方权利的任何损害概不负责，或侵权，对原产
在使用的材料中包含的任何产品数据，图形，图表或电路的应用实例。
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产品改进或其他原因。因此，建议客户联系谏早电子
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此产品上市。
·谏早电子公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些
该
材料。
·这些产品或技术受日本出口管制的限制，他们必须在一个出口
If
日本政府许可，不能导入超过核定目的地之外的国家。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或法规目的地国是
禁止的。
请联系谏早电子公司或其授权谏早市半导体产品分销商进行进一步
对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
RoHS指令
2SC3243
2SC3243
特点
功耗
P
CM
:
晶体管（ NPN ）
TO-92MOD
1.
辐射源
2.
集热器
0.9
W（环境温度Tamb = 25℃）
3.
BASE
集电极电流
I
CM
:
1
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
60
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
除非另有规定编）
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
W
分类h及
FE(1)
秩
C
55-110
D
90-180
E
150-300
范围
记号
J
E
E
C
E
L
I
EBO
R
T
O
TEST
条件
IC 。
10
A，I
E
=0
IC 。
2
妈，我
B
=0
N
C
I
C
民
O
123
典型值
L
,
.
最大
D
T
单位
V
V
V
60
60
6
0.2
0.2
55
300
0.3
80
25
I
E
=
10
μA ，我
C
=0
V
CB
=
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V，I
E
=0
V
EB
=
4
V，I
C
=0
V
CE
= 4V ，我
C
=
100
mA
A
A
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
I
C
=
500
妈，我
B
=
25
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V
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=
2
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C
=
10
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V
CB
=
10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
永而佳电子有限公司。
HTTP ： // www.wej.cn
电子信箱： wej@yongerjia.com
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推荐型号
2007
25LC320T-/ST
200WXA100M18X20
2SC5750(NE67718)
27C16AFT-15P
259166
216001
2SB508C
295T824R103B22
23969-04
2N6215
2510R-12K
2SA722
2865-M8
2SK2754-01
2N2222ABC-1
24HST1041-4
21DQ03L
2SD983
22-05-2081
供货商
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数量
封装
单价/备注
操作
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