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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3229
描述
·采用TO- 220F封装
·高电压： V
首席执行官
=300V(min)
应用
·对于彩电色度输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
300
300
5
100
20
2
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mA
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SC3229
符号
典型值。
最大
单位
V
CESAT
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE-1
h
FE-2
I
CBO
I
EBO
C
OB
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 1m的情况
I
C
= 100μA ;我
B
=0
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 0.5毫安; V
CE
=10V
I
C
= 20mA下; V
CE
=10V
V
CB
= 240V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
E
=0; V
CB
=20V;f=1MHz
I
E
= 20mA下; V
CB
=20V
75
300
1.0
V
集电极 - 发射极击穿电压
V
发射极 - 基极击穿电压
7
V
直流电流增益
20
直流电流增益
30
200
集电极截止电流
1.0
A
发射极截止电流
1.0
A
输出电容
4.0
pF
跃迁频率
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3229
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3229
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压： V
首席执行官
=300V(min)
应用
For
彩电色度输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
300
300
5
100
20
2
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mA
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC3229
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 1m的情况
1.0
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100μA ;我
B
=0
300
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10μA ;我
C
=0
7
V
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5毫安; V
CE
=10V
20
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 20mA下; V
CE
=10V
30
200
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 240V ;我
E
=0
1.0
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.0
μA
C
OB
输出电容
I
E
=0; V
CB
=20V;f=1MHz
4.0
pF
f
T
跃迁频率
I
E
= 20mA下; V
CB
=20V
75
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3229
图2外形尺寸
3
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2SK493
259962
225-563
2N3831
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27C256-15A
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26-64-5060
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228.08
258632
2SD1602
2SB1031
24LC04BT-I/SN
供货商
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厂家
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操作
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    2SC3229
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