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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3223
描述
·带
TO- 3封装
高
速度，高电流
ULOW
饱和电压
应用
For
大电流高速，高功率
应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
mb
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
230
230
7
20
7
200
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
价值
0.62
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 10A ;我
B
=1A
在额定电压
在额定电压
在额定电压
I
C
= 20A ; V
CE
=2V
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
10
民
230
2SC3223
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
0.1
0.1
0.1
V
V
mA
mA
mA
20
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3223
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3223
描述
·采用TO-3封装
·高速，大电流
·低饱和电压
应用
·对于大电流高转速，高功率
应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
mb
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
230
200
7
20
7
200
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
价值
0.62
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 10A ;我
B
=1A
在额定电压
在额定电压
在额定电压
I
C
= 20A ; V
CE
=2V
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
10
民
200
2SC3223
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
0.1
0.1
0.1
V
V
mA
mA
mA
20
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3223
图2外形尺寸
3
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2222SQ-131JEB
2.4HCB
24AA08T-/SM
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