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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3210
描述
·采用TO- 3PFa包
·低集电极饱和电压
·高击穿电压
应用
·对于高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
7
10
20
5
100
W
单位
V
V
V
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3210
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
=0.2A;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
8
11
兆赫
民
400
1.0
1.5
100
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5A ; V
CC
=100V
I
B1
=-I
B2
=1A
1.0
2.5
1.0
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3210
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3210
描述
·带
TO- 3PFa包
ULOW
集电极饱和电压
高
击穿电压
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
7
10
20
5
100
W
单位
V
V
V
A
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3210
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
=0.2A;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
8
11
兆赫
民
400
1.0
1.5
100
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5A ; V
CC
=100V
I
B1
=-I
B2
=1A
1.0
2.5
1.0
μs
μs
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3210
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3210
描述
·带
TO- 3PFa包
ULOW
集电极饱和电压
高
击穿电压
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极开路
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
OR
CT
U
价值
500
400
7
10
20
5
100
单位
V
V
V
A
A
A
P
C
W
3
150
-55~150
℃
℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3210
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
=0.2A;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
8
民
400
1.0
1.5
100
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
开启时间
贮存时间
I
C
= 5A ; V
CC
=100V
I
B1
=-I
B2
=1A
下降时间
OR
CT
U
11
1.0
2.5
1.0
兆赫
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3210
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
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2SK1698
24-3573-10
2SK3648-01
2SJ349_07
253C124B60NA
26JB4000A
224MSR400K
24LC024P
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