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JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3182N
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
.Complement
键入2SA1265N
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
140
140
5
10
1
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
= 140V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
55
35
民
140
2SC3182N
典型值。
最大
单位
V
2.0
1.5
5
5
160
V
V
μA
μA
30
220
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3182N
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3182N
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3182N
描述
·采用TO- 3P （ I）包
·补键入2SA1265N
应用
·功率放大器应用
·推荐70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
140
140
5
10
1
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
= 140V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
55
35
民
140
2SC3182N
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
典型值。
最大
单位
V
2.0
1.5
5
5
160
V
V
A
A
30
220
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3182N
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3182N
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3182N
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
.Complement
键入2SA1265N
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
140
140
5
10
1
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
= 140V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
55
35
民
140
2SC3182N
典型值。
最大
单位
V
2.0
1.5
5
5
160
V
V
μA
μA
30
220
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3182N
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3182N
4
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推荐型号
2SK3397_06
292KNS-T1376Z
296HA252C3B
28LV010RT2DE-20
28LV010RT2DE20
2PA1774M
2023-6133-06
253A203A50NA
249NQ135
2SC2412K
2N3914
24AA52-I/PG
2SC4058
24AA256TISN
2SD2139P
2N969
2N3810
24LC014-I/SN
280374-1
20020006-H021B01LF
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    2SC3182N
    -
    -
    -
    -
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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2SC3182N
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TO-3P
一级代理专营，原装现货，价格优势
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联系人：销售部1部
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2SC3182N
TOSHIBA
25+23+
23726
TO3P
绝对原装正品现货，渠道全新深圳渠道进口现货！
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地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC3182N
TOSHIBA
2024
455000
TO-3P
原装现货上海库存！专营进口元件
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2SC3182N
TOSHIBA/东芝
2009
13000
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
深圳市涛能电子科技有限公司
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2SC3182N
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2SC3182N
TOSHIBA/东芝
21+
365
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
德国显周集团有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
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德国显周集团有限公司
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2SC3182N
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10081
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