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JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3089

描述

·带

TO- 3PN封装

高

击穿电压（V

CBO

≥800V)

·快速

开关速度

ùWide

ASO （安全工作区）

应用

500V/7A

开关稳压器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

80

150

-55~150

℃

℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

800

500

7

7

14

3

2.5

W

单位

V

V

V

A

A

A

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= 5毫安; R

BE

=∞

I

C

= 1毫安，我

E

=0

I

E

= 1毫安，我

C

=0

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 3A ，我

B

=0.6A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.6A ; V

CE

=5V

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

I

C

= 0.6A ; V

CE

=10V

15

8

民

500

800

7

2SC3089

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

50

V

V

μA

μA

80

18

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 4A ，我

B1

=-I

B2

=0.8A

R

L

=50Ω,V

CC

=200V

1.0

3.0

1.0

μs

μs

μs

h

FE-1

分类

L

15-30

M

20-40

N

30-50

2

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3089

图2外形尺寸

3

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3089

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3089

描述

·带

TO- 3PN封装

高

击穿电压（V

CBO

≥800V)

·快速

开关速度

ùWide

ASO （安全工作区）

应用

500V/7A

开关稳压器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

80

150

-55~150

℃

℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

800

500

7

7

14

3

2.5

W

单位

V

V

V

A

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= 5毫安; R

BE

=∞

I

C

= 1毫安，我

E

=0

I

E

= 1毫安，我

C

=0

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 3A ，我

B

=0.6A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.6A ; V

CE

=5V

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

I

C

= 0.6A ; V

CE

=10V

15

8

民

500

800

7

2SC3089

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

50

V

V

μA

μA

80

18

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 4A ，我

B1

=-I

B2

=0.8A

R

L

=50Ω,V

CC

=200V

1.0

3.0

1.0

μs

μs

μs

h

FE-1

分类

L

15-30

M

20-40

N

30-50

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3089

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3089

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3089

描述

·带

TO- 3PN封装

高

击穿电压（V

CBO

≥800V)

·快速

开关速度

ùWide

ASO （安全工作区）

应用

500V/7A

开关稳压器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

条件

集电极 - 基极电压

发射极开路

集电极 - 发射极电压

开基

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

a

=25℃

集电极开路

OR

CT

U

价值

800

500

7

7

14

3

2.5

单位

V

V

V

A

A

A

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

80

150

-55~150

W

T

j

T

英镑

结温

储存温度

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

条件

I

C

= 5毫安; R

BE

=∞

I

C

= 1毫安，我

E

=0

I

E

= 1毫安，我

C

=0

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 3A ，我

B

=0.6A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.6A ; V

CE

=5V

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

15

8

民

500

800

7

2SC3089

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

50

V

V

μA

μA

开关时间

t

on

t

s

t

f

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

跃迁频率

I

C

= 0.6A ; V

CE

=10V

开启时间

贮存时间

I

C

= 4A ，我

B1

=-I

B2

=0.8A

R

L

=50Ω,V

CC

=200V

下降时间

OR

CT

U

80

18

1.0

3.0

1.0

pF

兆赫

μs

μs

μs

h

FE-1

分类

L

15-30

M

20-40

N

30-50

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3089

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

图2外形尺寸

OR

CT

U

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3089

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

OR

CT

U

4

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3089

描述

·采用TO- 3PN封装

·高击穿电压（V

CBO

800V)

·快速开关速度

·宽ASO安全工作区

应用

· 500V / 7A开关稳压器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

描述

绝对最大额定值（ TA = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

a

=25

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

80

150

-55~150

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

800

500

7

7

14

3

2.5

W

单位

V

V

V

A

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= 5毫安; R

BE

？＆ LT ;

I

C

= 1毫安，我

E

=0

I

E

= 1毫安，我

C

=0

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 3A ，我

B

=0.6A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.6A ; V

CE

=5V

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

I

C

= 0.6A ; V

CE

=10V

15

8

民

500

800

7

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE -2

C

OB

f

T

2SC3089

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

50

V

V

A

A

80

18

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 4A ，我

B1

=-I

B2

=0.8A

R

L

=50D,V

CC

=200V

1.0

3.0

1.0

s

s

s

h

FE-1

分类

L

15-30

M

20-40

N

30-50

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3089

图2外形尺寸

3

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