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SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO-3封装

·快速开关速度

·安全运行的广域

·高击穿电压

应用

·对于开关稳压器的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2SC3043

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（T

C

=25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流脉冲

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

PW ， 300μS ，占空比10 ％

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

500

400

7

12

25

4

120

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 10毫安; R

BE

？＆ LT ;

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

V

CB

= 400V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1.6A ; V

CE

=5V

I

C

= 8A ; V

CE

=5V

I

C

= 1.6A ; V

CE

=10V

I

E

=0; V

CB

=10V,f=1MHz

15

8

民

400

500

7

2SC3043

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

ob

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

V

V

A

A

20

160

兆赫

pF

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3043

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

·快速

开关速度

ùWide

安全工作区

高

击穿电压

应用

For

开关稳压器的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2SC3043

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（T

C

=25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流脉冲

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

PW≤300μs ，职务cycle≤10 ％

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

500

400

7

12

25

4

120

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

W

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

ob

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 10毫安; R

BE

=∞

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

V

CB

= 400V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1.6A ; V

CE

=5V

I

C

= 8A ; V

CE

=5V

I

C

= 1.6A ; V

CE

=10V

I

E

=0; V

CB

=10V,f=1MHz

15

8

20

160

民

400

500

7

典型值。

2SC3043

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

V

V

μA

μA

兆赫

pF

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3043

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

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