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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2832 2SC2832A
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
集电极饱和电压
高
V
CBO
高
高速开关
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
2SC2832
集电极 - 基极电压
发射极开路
2SC2832A
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
800
900
500
8
5
10
3
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC2832
2SC2832A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ; L = 25mH
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CB
=800V;I
E
=0
2SC2832 2SC2832A
民
500
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
V
V
I
CBO
集热器
截止电流
100
V
CB
=900V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
8
100
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
2SC2832
开启时间
2SC2832A
贮存时间
I
C
= 3A ;我
B1
=-I
B2
=-0.6A
V
CC
=200V
2SC2832
下降时间
2SC2832A
OR
CT
U
3
1.0
1.2
3.0
1.0
兆赫
μs
μs
t
f
μs
1.2
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2832 2SC2832A
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2832 2SC2832A
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
●高V
CBO
·高速开关
应用
·对于高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SC2832
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC2832A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
开基
集电极开路
发射极开路
900
500
8
5
10
3
40
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
条件
价值
800
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC2832
2SC2832A
条件
I
C
= 0.2A ; L = 25mH
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CB
=800V;I
E
=0
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
2SC2832 2SC2832A
民
500
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
V
V
I
CBO
集热器
截止电流
100
V
CB
=900V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
8
3
100
A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
A
兆赫
开关时间
2SC2832
t
on
开启时间
2SC2832A
t
英镑
贮存时间
2SC2832
t
f
下降时间
2SC2832A
1.2
I
C
= 3A ;我
B1
=-I
B2
=-0.6A
V
CC
=200V
1.2
3.0
1.0
s
s
1.0
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2832 2SC2832A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2832 2SC2832A
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
集电极饱和电压
高
V
CBO
高
高速开关
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC2832
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC2832A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
开基
集电极开路
发射极开路
900
500
8
5
10
3
40
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
条件
价值
800
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC2832
2SC2832A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ; L = 25mH
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CB
=800V;I
E
=0
2SC2832 2SC2832A
民
500
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
V
V
I
CBO
集热器
截止电流
100
V
CB
=900V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
8
3
100
μA
μA
兆赫
开关时间
2SC2832
t
on
开启时间
2SC2832A
t
英镑
贮存时间
2SC2832
t
f
下降时间
2SC2832A
1.2
I
C
= 3A ;我
B1
=-I
B2
=-0.6A
V
CC
=200V
1.2
3.0
1.0
μs
μs
1.0
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2832 2SC2832A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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225-381
27LV256-30I/TS
22-28-2139
20021444-00050T1LF
2SK1740-5
227LMB400M2CF
2N1870
20W-1C32E1
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2N3001
2SB0951AQ
24LC256-E/MFG
2N3421JAN
20010WS-10000
2SA2040FA
2SD1745
供货商
型号
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单价/备注
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    2SC2832A
    -
    -
    -
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PAN
2443+
23000
TO220
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电话：0755-83291010 83678410
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22+
33000
TO220
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24+
32000
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百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
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MAT
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