BL
银河电子
硅外延平面晶体管
特点
低噪音： NF = 1分贝（典型值），10分贝（最大值） 。
补充2SA1162 。
高电压和高电流。
高
FE
线性度。
产品规格
2SC2712
Pb
LEAD -FREE
应用
音频通用放大器应用。
SOT-23
订购信息
型号
2SC2712
记号
LO / LY / LG / LL
封装代码
SOT-23
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
价值
60
50
5
150
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号： BL / SSSTC021
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SC2712
SOT-23
晶体管
单位：mm
特点
高电压和高电流： V
首席执行官
= 50 V，I
C
= 150 MA（最大）
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
低噪声（典型值） NF = 1分贝， 10分贝（最大值）
0.55
高
FE
: h
FE
= 70
700
+0.1
1.3
-0.1
出色的线性度的hFE ：H
FE
(I
C
= 0.1毫安） /小时
FE
(I
C
= 2毫安） = 0.95 （典型值）。
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
等级
60
50
5
150
30
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
噪声系数
跃迁频率
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
V
CE
= 6 V，I
C
= 2毫安
70
0.1
2
1
80
民
典型值
最大
0.1
0.1
700
0.25
3.5
10
V
pF
dB
兆赫
单位
A
A
V
CE （SAT）
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
C
ob
NF
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 6 V，I
C
= 0.1毫安， F = 1千赫，
R
G
=10K
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
70
LO
O
140
120
LY
Y
240
LG
GR
200
400
LL
BL
350
700
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
技术规格
半导体
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ PNP ）
RECTRON
2SC2712
特点
*功耗
P
CM
:
150
mW(Tamb=25
O
C)
*集电极电流
I
CM
:
150
mA
*集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
60
V
工作和存储结温范围
*
T
J
,T
英镑
: -55
O
C至+150
O
C
SOT-23
集热器
3
机械数据
*
*
*
*
*
BASE
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
1
辐射源
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
o
电气特性
（ @ TA = 25℃除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 100mA时我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 1mA时，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 100mA时我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
= 60V ，我
E
=0)
发射极截止电流（V
EB
= 5V ，我
C
=0)
直流电流增益（V
CE
= 6V ，我
C
= 2毫安）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安）
过渡频率（V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安）
输出电容（V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MH
Z
)
噪声系数（V
CE
= 6V ，我
C
= 0.1毫安， F = 1KH
Z,
R
g
= 10千瓦）
分类h及
FE
秩
范围
记号
O
70-140
LO
Y
120-240
LY
GR
200-400
LG
BL
350-700
LL
2006-3
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
民
60
50
5
-
-
70
-
80
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.1
-
2.0
1.0
最大
-
-
-
0.1
0.1
700
0.25
-
3.5
10
单位
V
V
V
mA
mA
-
V
兆赫
pF
dB
免责声明
RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此规范，责令改正，修改，增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪
rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害
URES 。
RECTRON
2SC2712
东芝三极管
硅NPN外延型（厘过程）
2SC2712
音频通用放大器应用
高电压和高电流： V
首席执行官
= 50 V，I
C
= 150 MA（最大）
优秀
FE
线性：H
FE
(I
C
= 0.1毫安） /小时
FE
(I
C
= 2 mA）的
= 0.95 （典型值）。
高
FE ：
h
FE
= 70~700
低噪声（典型值） NF = 1分贝， 10分贝（最大值）
补充2SA1162
小型封装
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
30
150
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
重0.012克（典型值）
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件（即操作
温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
记号
1
2007-11-01
2SC2712
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
NF
测试条件
V
CB
=
60 V，I
E
=
0
V
EB
=
5 V，I
C
=
0
V
CE
=
6 V，I
C
=
2毫安
I
C
=
百毫安，我
B
=
10毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
1毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CE
=
6 V，I
C
=
0.1毫安，女
=
1千赫，
R
g
=
10 kΩ
民
70
80
典型值。
0.1
2.0
1.0
最大
0.1
0.1
700
0.25
3.5
10
V
兆赫
pF
dB
单位
μA
μA
注：H
FE
分类
O（ O） ： 70 140 ， Y（ Y） ： 120 240 ， GR （ G） ： 200 400 ， BL （ L） ： 350 700
（ ）标记符号
2
2007-11-01
2SC2712
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SC2712
音频
放大器NPN晶体管
特点
*高电压和高电流
: V
首席执行官
= 50V ，我
C
= 150毫安（最大）
*优秀
FE
线性
: h
FE
(I
C
=0.1mA)/h
FE
(I
C
=2mA)=0.95(Typ.)
*高
FE
*低噪音
3
NPN硅晶体管
1
2
SOT-23
*无铅电镀产品编号： 2SC2712L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SC2712-x-AE3-R
2SC2712L-x-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
E
B
C
填料
带盘
2SC2712L-x-AE3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AE3 ： SOT -23
（3 ）× ：指h的分类
FE
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
记号
LO
2SC2712-O
LY
2SC2712-Y
LG
2SC2712-G
LL
2SC2712-L
：铅电镀
14www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R206-029.B
2SC2712
绝对最大额定值
(Ta=25
℃
)
NPN硅晶体管
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
60
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
50
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
5
V
集电极电流
I
C
150
mA
基极电流
I
B
30
mA
集电极耗散功率
P
C
150
mW
结温
T
J
+125
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +125
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25
℃
)
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
晶体管频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
测试条件
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 6V ，我
C
=0.1mA
F = 1KHz时， RG = 10KΩ
民
典型值
最大
0.1
0.1
700
0.25
3.5
10
单位
A
A
V
兆赫
pF
dB
70
0.1
80
2.0
1.0
分类h及
FE
秩
范围
O
70~140
Y
120~240
G
200~400
L
350~700
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R206-029.B
2SC2712
典型特征
240
集电极电流，I
C
（MA ）
NPN硅晶体管
6.0
2.0
160
1.0
120
80
40
0
0
0.5
I
B
=0.2mA
0
1
2
3
4
5
6
7
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
直流电流增益，H
FE
200
I
C
- V
CE
5.0共发射极
3.0 TA = 25 ℃
1000
500
300
I
C
- V
CE
Ta=100℃
25
-25
100
50
共发射极
30
V
CE
=6V
V
CE
=1V
10
0.1 0.3
1
3
10 30 100 300
集电极电流，I
C
（MA ）
3000
Transistion频率f
T
（兆赫）
f
T
- I
C
共发射极
V
CE
=10V
Ta=25℃
1000
500
300
100
50
30
Transistion频率f
T
（兆赫）
共发射极
1000 V
CE
=10V
500
300
100
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
0
3000
I
B
- V
BE
Ta=100℃
25
-25
10
1
0.1 0.3
3
10 30 100 300
集电极电流I
C
（MA ）
,
0.2 0.4
0.6
0.8 1.0 1.2
基射极电压，V
BE
(V)
2000
1000
500
300
-h参数
-h参数
100
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.1
-h参数，我
C
共发射极
V
CE
= 12V ， F = 270HZ ，T
a
=25℃
BL
GR
Y
BL
h
ie
×KΩ
Y
GR
BL
O
Y
GR
h
oe
×S
O
-h参数，V
CE
2000共发射极
1000 I = 2毫安， T = 25 ℃ ， F = 270HZ
a
BL
500
C
300
GR
re
Y
100
O
50
GR
30
BL
10
BL
5
h
ie
×KΩ
3 GR
1 Y
h
re
×10
-4
h
oe
×S
BL
GR
Y
O
O
BL GR
re
×10-
4
0.5 O
0.3
0.3
1
3
10
30
集电极电流，I
C
（MA ）
0.1
0.5 1
3
10
30
100 300
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R206-029.B
2SC2712
典型特征（续）
250
200
150
100
50
0
0
P
C
- TA
NPN硅晶体管
集电极耗散功率，P
C
（ mW）的
25
50
75
100
125
环境温度TA （ ℃ ）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R206-029.B
2SC2712
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
2SC2712
音频通用放大器应用
·
·
·
·
·
·
高电压和高电流： V
首席执行官
= 50 V，I
C
= 150 MA（最大）
优秀
FE
线性：H
FE
(I
C
= 0.1毫安） /小时
FE
(I
C
= 2 mA）的
= 0.95 （典型值）。
高
FE ：
h
FE
= 70~700
低噪声（典型值） NF = 1分贝， 10分贝（最大值）
补充2SA1162
小型封装
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
30
150
125
-55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
重0.012克（典型值）
记号
1
2003-03-27
2SC2712
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
NF
测试条件
V
CB
=
60 V，I
E
=
0
V
EB
=
5 V，I
C
=
0
V
CE
=
6 V，I
C
=
2毫安
I
C
=
百毫安，我
B
=
10毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
1毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CE
=
6 V，I
C
=
0.1毫安，女
=
1千赫，
R
g
=
10千瓦
民
70
80
典型值。
0.1
2.0
1.0
最大
0.1
0.1
700
0.25
3.5
10
V
兆赫
pF
dB
单位
mA
mA
注：H
FE
分类
(
O（ O） ： 70 140 ， Y（ Y） ： 120 240 ， GR （ G） ： 200 400 ， BL （ L） ： 350 700
）标记符号
2
2003-03-27
2SC2712
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2003-03-27
2SC2712
晶体管（ NPN ）
特征
·
低噪音： NF = 1分贝（典型值） ， 10分贝（ MAX）
·
补充2SA1162
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
60
50
5
150
150
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
噪声系数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
TEST
条件
民
60
50
5
0.1
0.1
70
0.1
80
2.0
1.0
3.5
10
700
0.25
V
兆赫
pF
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，
I
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 60 V，I
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
=6V,I
C
=0.1mA,f=1kHz,
Rg=10k
分类h及
FE
秩
范围
记号
O
70-140
LO
Y
120-240
LY
GR
200-400
LG
BL
350-700
LL
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
2SC2712
公司Bauelemente
0.15A ， 60V
NPN外延平面晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特征
低噪音： NF = 1分贝（典型值） ， 10分贝（最大）
补充2SA1162的
A
L
3
SOT-23
3
顶视图
分类h及
FE
产品等级
范围
记号
2SC2712-O
70~140
LO
2SC2712-Y
120~240
LY
2SC2712-GR
200~400
LG
2SC2712-BL
350~700
LL
F
K
C B
1
2
2
1
E
D
G
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
2.10
2.55
1.20
1.40
0.89
1.15
1.78
2.04
0.30
0.50
H
J
包装信息
包
SOT-23
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.09
0.18
0.45
0.60
0.08
0.177
0.6 REF 。
0.89
1.02
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
60
50
5
150
150
150, -55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
http://www.SeCoSGmbH.com/
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
分钟。
60
50
5
-
-
70
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
0.1
-
2.0
1.0
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
700
0.25
-
3.5
10
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 6V ，我
C
= 0.1毫安中，f = 1KHz的，
R
G
=10K
规范的任何更改将不个别通知。
18 -FEB- 2011版本B
第1页3
2SC2712
公司Bauelemente
0.15A ， 60V
NPN外延平面晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
18 -FEB- 2011版本B
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2SC2712
公司Bauelemente
0.15A ， 60V
NPN外延平面晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
18 -FEB- 2011版本B
第3页3
QQ：2881677436 复制
