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2SC2655
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
2SC2655
功率放大器的应用
电源开关应用
工业应用
单位:mm
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.5 V (最大值) (我
C
= 1 A)
高集电极耗散功率:P
C
= 900毫瓦
高速开关:吨
英镑
= 1.0
μs
(典型值)。
补充2SA1020 。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
2
0.5
900
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-92MOD
2-5J1A
重量:0.58克(典型值)。
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作
条件(即工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2006-11-09
2SC2655
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
直流电流增益
(注)
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
I
B1
测试条件
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 1.5 A
I
C
= 1 A,I
B
= 0.05 A
I
C
= 1 A,I
B
= 0.05 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.5 A
V
CB
= 10 V,I
C
= 0中,f = 1 MHz的
产量
30
50
70
40
典型值。
100
30
0.1
最大
1.0
1.0
240
0.5
1.2
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
20
μs
输入
I
B2
I
B1
I
B2
开关时间
贮存时间
t
英镑
1.0
μs
30 V
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 0.05 A,占空比
1%
0.1
注:H
FE (1)
分类○: 70 140 , Y: 120240
记号
C2655
产品型号(或缩写代码)
LOT号
特征
指标
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-09
2SC2655
I
C
– V
CE
2.4
25
2.0
20
18
15
12
10
1.2
8
6
4
0.4
IB = 2毫安
0
2
4
6
8
10
12
14
共发射极
1.0
TA = 25°C
V
CE
– I
C
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压
(A)
0.8
集电极电流I
C
1.6
0.6
IB = 5毫安
0.4
30
0.2
TA = 25°C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
40
共发射极
10
20
0.8
0
0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE
– I
C
1.0
1.0
IB = 5毫安
V
CE
– I
C
V
CE
(V)
0.8
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压
0.8
集电极 - 发射极电压
0.6
IB = 5毫安
0.4
10
20
30
40
共发射极
TA = 100℃
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.6
10
20
30
0.4
40
50
共发射极
TA =
55°C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.2
0.2
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
– I
C
1000
共发射极
500
VCE = 2 V
1
V
CE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
共发射极
0.5
0.3
IC / IB = 20
直流电流增益
FE
300
TA = 100℃
25
55
50
30
100
0.1
TA = 100℃
0.05
55
0.02
0.01
25
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0.03
0.1
0.3
1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
3
2006-11-09
2SC2655
V
BE (SAT)
– I
C
5
2.0
共发射极
3
IC / IB = 20
I
C
– V
BE
共发射极
VCE = 2 V
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
(A)
集电极电流I
C
1
0.5
25
0.3
100
TA =
55°C
1.5
1.0
TA = 100℃
25
55
0.5
0.1
0.01
0.03
0.1
0.3
1
集电极电流I
C
(A)
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
基射极电压
V
BE
(V)
安全工作区
5
IC MAX(连续)
1000
P
C
- TA
( mW)的
集电极耗散功率P
C
3
集成电路最大值(脉冲) *
1毫秒*
10毫秒*
100毫秒*
800
(A)
1
0.5
0.3
直流操作
TA = 25°C
集电极电流I
C
600
1 s*
400
0.1
0.05
0.03
* :单非重复脉冲
TA = 25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
0.01
0.2
最大VCEO
0.5
1
3
10
30
100
200
0
0
40
80
120
160
200
240
环境温度Ta (C )
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
2006-11-09
2SC2655
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
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5
2006-11-09
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