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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2626
描述
·带
TO- 3PN封装
高
电压，高速开关
高
可靠性
应用
切换
稳压器
·超声波
发电机
高
变频调速器
■一般
目的功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
300
7
15
5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.55
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
发射极基极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 0.1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
10
民
300
300
400
7
典型值。
2SC2626
最大
单位
V
V
V
V
1.2
1.5
1.0
0.1
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 10A我
B1
=-I
B2
=2A
R
L
=20Ω,Pw=20μs
Duty≤2%
0.8
2.0
0.8
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2626
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2626
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2626
描述
·采用TO- 3PN封装
·高电压，高速开关
高可靠性
应用
开关稳压器
超声波发生器
高频逆变器
通用功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
300
7
15
5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.55
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
发射极基极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 0.1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
10
民
300
300
400
7
符号
V
（ BR ） CEO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
2SC2626
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
1.2
1.5
1.0
0.1
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 10A我
B1
=-I
B2
=2A
R
L
=20C,Pw=20s
DutyD2%
0.8
2.0
0.8
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2626
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
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4
富士半导体公司 - P.O.箱702708 - 达拉斯，德克萨斯州75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
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