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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第470页 > 2SC2613
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2613
描述
·带
的TO-220封装
高
集电极击穿电压
: V
首席执行官
=400V(Min)
应用
为高电压，高转速和
高功率开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
7
5
10
2.5
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ，R
BE
=∞,L=100mH
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
CE
= 350V ;
BE
=∞
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
15
7
民
400
7
典型值。
2SC2613
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
100
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A我
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
≈150V
1.2
1.0
2.5
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2613
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2613
4
2SC2613
硅NPN三重扩散
应用
高电压，高转速和高功率开关
概要
TO-220AB
1
2 3
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
I
B
P
C
*
1
Tj
TSTG
评级
500
400
7
5
10
2.5
40
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2SC2613
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极维持
电压
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX （ SUS）的
民
400
400
典型值
—
—
最大
—
—
单位
V
V
测试条件
I
C
= 0.2 A，R
BE
=
∞,
L = 100毫亨
I
C
= 5 A，I
B1
= –I
B2
= 1 A
V
BE
= -5V ，L = 180
H,
夹
I
E
= 10 mA时，我
C
= 0
V
CB
= 400 V，I
E
= 0
V
CE
= 350 V ，R
BE
=
∞
V
CE
= 5 V，I
C
= 2.5 A*
1
V
CE
= 5 V，I
C
= 5 A*
1
V
V
s
s
s
I
C
= 2.5 A，I
B
= 0.5 A*
1
I
C
= 2.5 A，I
B
= 0.5 A*
1
I
C
= 5 A，I
B1
= –I
B2
= 1 A,
V
CC
150 V
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
7
—
—
15
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
—
—
100
100
—
—
1.0
1.5
1.0
2.5
1.0
V
A
A
直流电流传输比
h
FE1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
贮存时间
下降时间
注意：
1.脉冲测试。
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
英镑
t
f
最大集电极耗散曲线
60
集电极耗散功率PC（ W）
100
i
C（峰值）
10
安全工作区
集电极电流I
C
(A)
25
40
1.0
20
0.1
0.01
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
TA = 25° C， 1次射门
3
10
30
100 300 1,000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
50
s
I
C（最大值）
（连续）
s
s
s
0
s
m
25
m
0
1
=1
离子
at
PW
ER C）
运25
°
DC =
(T
C
2SC2613
瞬态热阻
10
集电极电流降额率
100
集电极电流降额率（ ％ ）
IS
/B
热阻
θ
J-
（ ° C / W）
3
10 m
s–10
s
80
LIM
1.0
0.3
它
60
re
a
10
0.1
0.03
0.01
0.01
1
s–
0m
s
40
20
T
C
= 25°C
0.1
0.1
时间T
1.0
1.0
10 (s)
图10（ ms）的
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
0.01
反向安全工作的偏置区
集电极到发射极电压V
CER
(V)
10
325 V， 10 A
600
集电极到发射极电压
与基地发射极电阻
I
C
= 1毫安
集电极电流I
C
(A)
8
500
6
400 V ， 5 A
4
400
2
I
B2
= –1.0 A
450 V， 1.0
0
0
100
200
300
400
500
集电极到发射极电压V
CE
(V)
300
100
1k
10 k
100 k
1M
基极 - 射极电阻R
BE
()
3
2SC2613
典型的输出特性
5
0.5
0.4
0.3
0.2
3
0.1
0.05 A
1
I
B
= 0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
T
C
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
5
T
C
= 25°C
V
CE
= 5 V
典型的传输特性
集电极电流I
C
(A)
4
4
3
2
2
1
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （SAT）
100
直流电流传输比H
FE
75°C
30
25°C
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
集电极到发射极饱和
电压与电流基地
2A
T
C
= –25
°
C
10
1A
3
V
CE
= 5 V
10
I
C
= 0.5 A
T
C
= 25°C
0.1 0.3
1.0
3
基极电流I
B
(A)
10
1
0.01 0.03 0.1 0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
0.01
0.01 0.03
4
2SC2613
基地发射极饱和电压
与集电极电流
10
基地发射极饱和电压
V
BE （SAT）
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03 0.1 0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
I
C
= 5 I
B
T
C
= 25°C
10
3
开关时间t（微秒）
1.0
0.3
0.1
0.03
I
C
= 5 I
B1
= –5 I
B2
.
V
CC
= 150 V
.
10
t
f
t
on
开关时间与集电极电流
t
英镑
10
0.01
0.01 0.03 0.1 0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
开关时间与外壳温度
5
开关时间t（微秒）
2
1.0
t
英镑
t
f
0.5
t
on
0.2
0.1
0.05
0
I
C
= 5 A
I
B1
= –I
B2
=1 A
R
L
= 30
.
V
CC
= 150 V
.
25
50
75
100
案例温度T
C
(°C)
125
5
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SC2613
硅NPN三重扩散
ADE - 208-886 （ Z）
1日。版
2000年9月
应用
高电压，高转速和高功率开关
概要
TO-220AB
1
2 3
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
I
B
P
C
*
1
Tj
TSTG
评级
500
400
7
5
10
2.5
40
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2SC2613
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极维持
电压
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX （ SUS）的
民
400
400
典型值
—
—
最大
—
—
单位
V
V
测试条件
I
C
= 0.2 A，R
BE
=
∞,
L = 100毫亨
I
C
= 5 A，I
B1
= –I
B2
= 1 A
V
BE
= -5V ，L = 180
H,
夹
I
E
= 10 mA时，我
C
= 0
V
CB
= 400 V，I
E
= 0
V
CE
= 350 V ，R
BE
=
∞
V
CE
= 5 V，I
C
= 2.5 A*
1
V
CE
= 5 V，I
C
= 5 A*
1
V
V
s
s
s
I
C
= 2.5 A，I
B
= 0.5 A*
1
I
C
= 2.5 A，I
B
= 0.5 A*
1
I
C
= 5 A，I
B1
= –I
B2
= 1 A,
V
CC
150 V
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
7
—
—
15
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
—
—
100
100
—
—
1.0
1.5
1.0
2.5
1.0
V
A
A
直流电流传输比
h
FE1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
贮存时间
下降时间
注意：
1.脉冲测试。
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
英镑
t
f
最大集电极耗散曲线
60
集电极耗散功率PC（ W）
100
i
C（峰值）
10
安全工作区
集电极电流I
C
(A)
s
25
s
s
0
s
m
25
m
0
1
=1
离子
at
PW
ER C）
运25
°
DC =
(T
C
40
1.0
20
0.1
0.01
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
TA = 25° C， 1次射门
3
10
30
100 300 1,000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
50
s
I
C（最大值）
（连续）
2SC2613
瞬态热阻
10
集电极电流降额率
100
集电极电流降额率（ ％ ）
IS
/B
热阻
θ
J-
（ ° C / W）
3
10 m
s–10
s
80
LIM
1.0
0.3
它
re
60
a
10
0.1
0.03
0.01
0.01
10
s–
ms
40
20
T
C
= 25°C
0.1
0.1
时间T
1.0
1.0
10 (s)
图10（ ms）的
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
0.01
反向安全工作的偏置区
集电极到发射极电压V
CER
(V)
10
325 V， 10 A
600
集电极到发射极电压
与基地发射极电阻
I
C
= 1毫安
集电极电流I
C
(A)
8
500
6
400 V ， 5 A
4
400
2
I
B2
= –1.0 A
450 V， 1.0
0
0
100
200
300
400
500
集电极到发射极电压V
CE
(V)
300
100
1k
10 k
100 k
1M
基极 - 射极电阻R
BE
()
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2613
描述
·带
的TO-220封装
高
集电极击穿电压
: V
首席执行官
=400V(Min)
应用
为高电压，高转速和
高功率开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
500
400
7
5
10
2.5
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ，R
BE
=∞,L=100mH
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
CE
= 350V ;
BE
=∞
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
15
7
民
400
7
典型值。
2SC2613
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
100
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A我
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
≈150V
OR
CT
U
1.0
1.2
2.5
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2613
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2613
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2613
描述
·采用TO- 220封装
·高集电极击穿电压
: V
首席执行官
=400V(Min)
应用
·
为高电压，高转速和
高功率开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
7
5
10
2.5
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ，R
BE
= ：， L = 100MH
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
CE
= 350V ;
BE
=:
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
15
7
民
400
7
2SC2613
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
100
V
V
A
A
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A我
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
?150V
1.2
1.0
2.5
1.0
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2613
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2613
4
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25MS53.3M4X5
295T224F103C21
25002-0505
26PCJFG5G
2-84952-2
2SD2102
226PGM050M
2SD1725Q
200MMW335JHPH7
2-57646-6
263373
2SC4675
2SC4618Q
2SD2288
2SD1750AR
2N1147A
2221204.0000.000.00
25AA160B-E/SN
2SD1475R
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型号
厂家
批号
数量
封装
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操作
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