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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2612

描述

·带

的TO-220封装

高

集电极击穿电压

: V

首席执行官

=400V(Min)

应用

为高电压，高转速和

高功率开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

500

400

7

3

6

1.5

30

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

W

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

首席执行官

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

集电极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 0.2A ，R

BE

=∞,L=100mH

I

E

= 10毫安;我

C

=0

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.3A

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.3A

V

CB

= 400V ;我

E

=0

V

CE

= 350V ;

BE

=∞

I

C

= 1.5A ; V

CE

=5V

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

15

7

民

400

7

典型值。

2SC2612

最大

单位

V

V

1.0

1.5

100

100

V

V

μA

μA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 3.0A我

B1

=- I

B2

=0.6A

V

CC

≈150V

1.2

1.0

2.5

1.0

μs

μs

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2612

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2612

4

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2612

描述

·采用TO- 220封装

·高集电极击穿电压

: V

首席执行官

=400V(Min)

应用

·

为高电压，高转速和

高功率开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

500

400

7

3

6

1.5

30

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

集电极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 0.2A ，R

BE

=;,L=100mH

I

E

= 10毫安;我

C

=0

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.3A

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.3A

V

CB

= 400V ;我

E

=0

V

CE

= 350V ;

BE

=;

I

C

= 1.5A ; V

CE

=5V

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

15

7

民

400

7

2SC2612

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

首席执行官

h

FE-1

h

FE-2

典型值。

最大

单位

V

V

1.0

1.5

100

100

V

V

A

A

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 3.0A我

B1

=- I

B2

=0.6A

V

CC

@150V

1.2

1.0

2.5

1.0

s

s

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2612

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2612

4

2SC2612

硅NPN三重扩散

应用

高电压，高转速和高功率开关

概要

TO-220AB

1

2 3

1.基地

2.收集

（法兰）

3.辐射源

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

C

= 25°C.

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

C（峰值）

I

B

P

C

*

1

Tj

TSTG

评级

500

400

7

3

6

1.5

30

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

A

W

°C

°C

2SC2612

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极到发射极维持

电压

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEX （ SUS）的

民

400

400

典型值

—

—

最大

—

—

单位

V

V

测试条件

I

C

= 0.2 A，R

BE

=

∞,

L = 100毫亨

I

C

= 3 A，I

B1

= –I

B2

= 0.6 A

V

BE

= -5V ，L = 180

H,

夹

I

E

= 10 mA时，我

C

= 0

V

CB

= 400 V，I

E

= 0

V

CE

= 350 V ，R

BE

=

∞

V

CE

= 5 V，I

C

= 1.5 A*

1

V

CE

= 5 V，I

C

= 3.0 A*

1

V

V

s

s

s

I

C

= 1.5 A，I

B

= 0.3 A*

1

I

C

= 1.5 A，I

B

= 0.3 A*

1

I

C

= 3 A，I

B1

= –I

B2

= 0.6 A,

V

CC

150 V

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

首席执行官

7

—

—

15

7

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

1.2

—

—

100

100

—

—

1.0

1.5

1.0

2.5

1.0

V

A

A

直流电流传输比

h

FE1

h

FE2

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

启动时间

贮存时间

下降时间

注意：

1.脉冲测试

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

t

on

t

英镑

t

f

最大集电极耗散

曲线

45

集电极耗散功率P

C

(W)

安全工作区

10 i

C（峰值）

I

CMAX

（连续）

集电极电流I

C

(A)

1.0

s

25

s

50

0

s

s

25

ms

0 m

1

=1

离子

at

er

PW

OP 5

°

C

DC = 2

T

C

30

0.1

15

0.01

TA = 25° C， 1次射门

0.001

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

1

3

10

30

100 300 1,000

集电极到发射极电压V

CE

(V)

2

2SC2612

瞬态热阻

集电极电流降额率

热阻

θ

J-

（ ° C / W）

100

集电极电流降额率（％）

10

3

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

0.01

T

C

= 25°C

0.1

0.1

时间T

1.0

1.0

10 (s)

图10（ ms）的

0s

10毫秒-1-

80

IS

/B

60

LIM

它

re

a

10

0

s–1

ms

40

20

反向安全工作的偏置区

集电极到发射极电压V

CER

(V)

10

600

集电极到发射极电压

与基地发射极电阻

I

C

= 1毫安

集电极电流I

C

(A)

8

500

6

4

350 V， 6的

400 V ，3A

2

I

B2

= –0.6 A

400

450 V， 0.5 A

0

200

300

400

500

100

集电极到发射极电压V

CE

(V)

300

100

10 k

100 k

1M

1k

基极 - 射极电阻R

BE

()

3

2SC2612

典型的输出特性

2.5

0.3

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

2.0

0.2

0.1

1.5

0.05 A

1.0

T

C

= 25°C

I

B

= 0

0

3

4

5

1

2

集电极到发射极电压V

CE

(V)

0

1.2

1.6

2.0

0.4

0.8

基极至发射极电压V

BE

(V)

2.0

T

C

= 25°C

V

CE

= 5 V

2.5

典型的传输特性

1.5

1.0

0.5

0.5

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

100

直流电流传输比H

FE

10

3

集电极到发射极饱和

电压与电流基地

75

°

C

30

25

°

C

T

C

= –25

°

C

2A

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

T

C

= 25°C

0.1 0.3 1.0

3

基极电流I

B

(A)

10

I

C

= 0.5 A

1A

10

3

V

CE

= 5 V

1

0.005 0.01

0.03 0.1 0.3

1.0

集电极电流I

C

(A)

3 5

4

2SC2612

基地发射极饱和电压

与集电极电流

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

10

3

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

0.005 0.01

T

C

= 25°C

I

C

= 5 I

B

0.03 0.1 0.3

1.0

集电极电流I

C

(A)

3 5

开关时间t（微秒）

10

3

t

英镑

1.0

t

f

0.3

0.1

0.03

0.01

0.005 0.01

t

on

I

C

= 5 I

B1

= –5 I

B2

V

CC

= 150 V

0.03 0.1 0.3

1.0

集电极电流I

C

(A)

3 5

开关时间与集电极电流

开关时间与外壳温度

5

3

开关时间t（微秒）

t

英镑

1.0

t

f

t

on

I

C

= 3 A

I

B1

= – I

B2

= 0.6 A

R

L

= 50

V

CC

= 150 V

0

25

50

75

100

案例温度T

C

(°C)

125

0.3

0.1

0.05

5

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2612

描述

·带

的TO-220封装

高

集电极击穿电压

: V

首席执行官

=400V(Min)

应用

为高电压，高转速和

高功率开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

T

j

T

英镑

参数

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

条件

集电极 - 基极电压

发射极开路

集电极 - 发射极电压

开基

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

OR

CT

U

价值

500

400

7

3

6

1.5

30

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

W

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

首席执行官

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

集电极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 0.2A ，R

BE

=∞,L=100mH

I

E

= 10毫安;我

C

=0

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.3A

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.3A

V

CB

= 400V ;我

E

=0

V

CE

= 350V ;

BE

=∞

I

C

= 1.5A ; V

CE

=5V

I

C

= 3A ; V

CE

=5V

15

7

民

400

7

典型值。

2SC2612

最大

单位

V

V

1.0

1.5

100

100

V

V

μA

μA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 3.0A我

B1

=- I

B2

=0.6A

V

CC

≈150V

OR

CT

U

1.0

1.2

2.5

1.0

μs

μs

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2612

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

OR

CT

U

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2612

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

OR

CT

U

4

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24+

8420

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62710

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地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402

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联系人：销售部

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