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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2588

描述

·带

MT- 200封装

优秀

安全工作区

·快速

开关速度

应用

·适合

对于高频功率放大器，

音频功率放大器，开关稳压器

和DC -DC转换器的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号

描述

·

绝对最大额定值（T

C

=25℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

130

130

5

12

120

150

-55~150

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CE

（SAT）

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 1毫安;

BE

=∞

I

C

= 50μA ;我

E

=0

I

E

= 50μA ;我

C

=0

I

C

= 5 A;我

B

=0.5 A

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

V

CB

= 120V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 2A ; V

CE

=5V

I

C

= 7A ; V

CE

=5V

I

C

= 1A ; V

CB

=10V,f=1MHz

I

E

=0; V

CB

=10V;f=1MHz

60

40

60

民

120

120

5

2SC2588

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.8

1.7

50

50

200

V

V

μA

μA

兆赫

pF

170

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2588

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2588

描述

·采用MT- 200封装

·卓越的安全工作区

·快速开关速度

应用

·适用于高频功率放大器，

音频功率放大器，开关稳压器

和DC -DC转换器的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号

描述

绝对最大额定值（T

C

=25 )

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

130

130

5

12

120

150

-55~150

单位

V

V

V

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 1毫安;

BE

=9

I

C

= 50μA ;我

E

=0

I

E

= 50μA ;我

C

=0

I

C

= 5 A;我

B

=0.5 A

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

V

CB

= 120V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 2A ; V

CE

=5V

I

C

= 7A ; V

CE

=5V

I

C

= 1A ; V

CB

=10V,f=1MHz

I

E

=0; V

CB

=10V;f=1MHz

60

40

民

120

120

5

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CE

（SAT）

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

2SC2588

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.8

1.7

50

50

200

V

V

A

A

60

170

兆赫

pF

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2588

图2外形尺寸

3

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