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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2581
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入2SA1106
·高功耗
·高电流能力
应用
·音频功率放大器
· DC-DC转换
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
200
140
6
10
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 25毫安,我
B
=0
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安,我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
50
140
200
6
2SC2581
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
100
100
V
A
A
20
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2581
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
2SC2581
音频功率放大器
直流到直流转换器
NPN
平面硅晶体管
SC-65
!
!
!
高电流能力
高功率耗散
补充2SA1106
绝对最大额定值(T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
200
140
6
10
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性(Ta = 25℃)
C
Characterristic
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
*直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCE ( SAT )
测试条件
IC = 5毫安IE = 0
IC = 10毫安
RBE =
IE = 5毫安IC = 0
VCB = 100V IE = 0
VEB = 4V IC = 0
VCE = 5V, IC = 1A
VCE = 5V, IC = 5A
IC = 5A IB = 0.5A
200
140
6
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
55
50
0.1
0.1
160
2.0
V
永诚电脑配件有限公司, (香港)有限公司。
主页:
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联系电话: ( 852 ) 2341 9276传真: ( 852 ) 2797 8153
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JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2581
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入2SA1106
功耗
电流能力
应用
·音频
功率放大器
·直流 - 直流
变流器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
200
140
6
10
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SC2581
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 25毫安,我
B
=0
140
V
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安,我
E
=0
200
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安,我
C
=0
6
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
2.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 200V ;我
E
=0
100
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
50
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
20
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2581
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2581
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入2SA1106
功耗
电流能力
应用
·音频
功率放大器
·直流 - 直流
变流器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
200
140
6
10
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SC2581
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 25毫安,我
B
=0
140
V
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安,我
E
=0
200
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安,我
C
=0
6
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
2.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 200V ;我
E
=0
100
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
50
f
T
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
OR
CT
U
20
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2581
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC2581
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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进口原装公司现货
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联系人:李先生
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联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
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联系人:陈泽强
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
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上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC2581
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联系人:何小姐
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2SC2581
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