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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2517
描述
·带
TO- 220封装
ULOW
集电极饱和电压
ùWide
安全工作区
应用
切换
稳压器
·直流 - 直流
转换器
高
频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
P
T
总功耗
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
150
100
12
5
10
2.5
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC2517
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 3.0A ;我
B
=0;L=1mH
100
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
=0.3A
0.6
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
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1.5
V
μA
μA
mA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
CE
=100V; V
BE
=-1.5V
Ta=125℃
V
EB
= 10V ;我
C
=0
10
10
1
10
I
CEX
集电极截止电流
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
直流电流增益
I
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h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 2 A; V
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40
200
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
= 3A ;我
B1
=-I
B2
=0.3A
R
L
=17Ω; V
CC
=50V
0.5
t
s
贮存时间
2.5
μs
t
f
下降时间
0.5
μs
h
FE-2
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2517
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2517
描述
·带
TO- 220封装
ULOW
集电极饱和电压
ùWide
安全工作区
应用
切换
稳压器
·直流 - 直流
转换器
高
频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
150
100
12
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2.5
1.5
W
30
150
-55~150
℃
℃
单位
V
V
V
A
A
A
P
T
总功耗
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC2517
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 3.0A ;我
B
=0;L=1mH
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V
V
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集电极 - 发射极饱和电压
I
C
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B
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V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
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V
μA
μA
mA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
CE
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=-1.5V
Ta=125℃
V
EB
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10
1
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I
CEX
集电极截止电流
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.2 A; V
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=5V
h
FE-2
开关时间
t
on
t
s
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
直流电流增益
I
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CE
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贮存时间
I
C
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L
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OR
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40
200
0.5
μs
2.5
μs
40
t
f
0.5
μs
h
FE-2
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2517
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2517
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
·安全运行的广域
应用
开关稳压器
· DC-DC转换
·高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25
P
T
总功耗
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
150
100
12
5
10
2.5
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 3.0A ;我
B1
=0.3A;L=1mH
I
C
= 3A ;我
B
=0.3A
I
C
= 3A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
CE
=100V; V
BE
=-1.5V
Ta=125
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 0.2 A; V
CE
=5V
I
C
= 2 A; V
CE
=5V
40
40
民
100
2SC2517
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
0.6
1.5
10
10
1
10
V
V
A
A
mA
A
200
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 3A ;我
B1
=-I
B2
=0.3A
R
L
=17@; V
CC
=50V
0.5
2.5
0.5
s
s
s
h
FE-2
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2517
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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227LBB400M2BH
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2SK3637
2N2164
206-1112ES
2029-15-9
2SA2153
2N5530
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202D388X0020B2
257529
2SD2687S
212T01S324RD1
2SC3964
2SC5001F5S
2N3826
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型号
厂家
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