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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC2481
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 150V (最小值)
电流能力
集电极耗散功率
.Complement
到类型2SA1021
应用
●颜色
电视垂直偏转输出应用。
●颜色
电视B类声音输出的应用。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
150
V
150
V
6
V
1.5
A
1.0
A
20
W
1.2
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2SC2481
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
150
V
V
CE(
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
= 50毫安
1.5
V
V
BE (
on
)
基射极电压上
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5V
0.8
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 150V ;我
E
= 0
1.0
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
1.0
μA
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
C
OB
输出电容
h
FE
分类
R
60-120
O
100-200
w
Y
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 5V
60
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 5V
20
I
E
= 0; V
CB
= 10V ,女
TEST
= 1MHz的
320
100
兆赫
13
pF
160-320
ISC的网站: www.iscsemi.cn
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC2481
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 150V (最小值)
电流能力
集电极耗散功率
.Complement
到类型2SA1021
应用
●颜色
电视垂直偏转输出应用。
●颜色
电视B类声音输出的应用。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
150
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
150
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流连续
1.5
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
1.0
A
20
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
结温
1.2
150
T
英镑
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电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
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典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
150
V
V
CE(
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
= 50毫安
1.5
V
V
BE (
on
)
基射极电压上
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5V
0.8
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 150V ;我
E
= 0
1.0
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
1.0
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 5V
60
320
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 5V
20
100
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ,女
TEST
= 1MHz的
13
pF
h
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分类
R
60-120
O
100-200
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    联系人:杨小姐
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联系人:销售部
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