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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC2414
描述
高
开关速度
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 400V （最小值）
应用
·设计
高速功率开关应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
最大
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
400
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
2
A
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
4
A
P
C
70
W
T
j
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-65~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC2414
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A L = 25mH
400
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.2A
B
1.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.2A
B
1.5
V
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 500V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
0.1
mA
发射Cuto FF电流
0.1
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
15
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 10V
11
兆赫
开关时间，电阻性负载
μs
μs
μs
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
1
贮存时间
I
C
= 1A ;我
B1
= -I
B2
= 0.2A
3
下降时间
1
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描述
高
开关速度
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 400V （最小值）
应用
·设计
高速功率开关应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
最大
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流连续
I
CM
集电极电流峰值
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
500
V
400
V
7
V
2
A
4
A
70
W
150
℃
-65~150
℃
T
j
T
英镑
存储温度范围
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电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC2414
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A L = 25mH
400
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.2A
B
1.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.2A
B
1.5
V
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 500V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
0.1
mA
发射Cuto FF电流
0.1
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
开关时间，电阻性负载
t
on
t
英镑
t
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开启时间
贮存时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
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I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
15
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 10V
I
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= 1A ;我
B1
= -I
B2
= 0.2A
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20KPA240A
2221
250U20B501A2CB
27C256-15ISO
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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