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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2371

描述

·带

TO- 126封装

高

电压

高

频率

应用

For

电视色度输出和垂直

输出的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

条件

集电极 - 基极电压

发射极开路

集电极 - 发射极电压

开基

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25℃

集电极开路

OR

CT

U

价值

300

300

6

0.1

0.2

1.25

单位

V

V

V

A

A

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

10

150

-40~150

W

T

j

T

英镑

结温

储存温度

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2SC2371

最大

单位

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 30毫安，我

B

= 3M公司

1.5

V

V

BE

基射极电压上

I

C

= 10毫安; V

CE

=10V

1.2

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

=100μA;I

E

=0

300

V

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安;我

B

=0

300

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 100μA ;我

C

=0

6

V

h

FE

直流电流增益

I

C

= 10毫安; V

CE

=10V

40

250

μA

I

CBO

集电极截止电流

V

CB

= 200V ;我

E

=0

I

EBO

C

OB

f

T

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

发射极截止电流

V

EB

= 4V ;我

C

=0

输出电容

I

E

=0; V

CB

=30V;f=1MHz

跃迁频率

I

E

= 10毫安; V

CB

=30V

OR

CT

U

0.1

3

0.1

μA

pF

50

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2371

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

图2外形尺寸

OR

CT

U

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2371

描述

·采用TO- 126封装

·高电压

=高频

应用

·对于电视输出的色度和垂直

输出的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-40~150

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

300

300

6

0.1

0.2

1.25

W

单位

V

V

V

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

直流电流增益

集电极截止电流

发射极截止电流

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= 30毫安，我

B

= 3M公司

I

C

= 10毫安; V

CE

=10V

I

C

=100A;I

E

=0

I

C

= 1毫安;我

B

=0

I

E

= 100μA ;我

C

=0

I

C

= 10毫安; V

CE

=10V

V

CB

= 200V ;我

E

=0

V

EB

= 4V ;我

C

=0

I

E

=0; V

CB

=30V;f=1MHz

I

E

= 10毫安; V

CB

=30V

50

300

300

6

40

民

2SC2371

符号

V

CESAT

V

BE

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

h

FE

I

CBO

I

EBO

C

OB

f

T

典型值。

最大

1.5

1.2

单位

V

V

V

V

V

250

0.1

0.1

3

A

A

pF

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2371

图2外形尺寸

3

MCC

?????????? ?????? omponents

20736玛丽拉

街道查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

2SC2371

特点

与TO- 126封装

视频应用

NPN硅

功率晶体管

等级

300

300

7.0

0.1

10

-55到+150

-55到+150

单位

V

V

V

A

W

O

C

O

C

最大额定值

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

C

T

J

T

英镑

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

A

K

D

R

E

B

F

G

L

H

C

M

N

P

电气特性@ 25

O

C除非另有说明

符号

参数

集电极 - 发射极击穿电压

(I

C

= 1.0mAdc ，我

B

=0)

集电极 - 基极截止电流

(V

CB

=200Vdc,I

E

=0)

发射基截止电流

(V

EB

= 7.0Vdc ，我

C

=0)

正向电流传输比

(I

C

= 10mAdc ，V

CE

=10Vdc)

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 30mAdc ，我

B

=3.0Adc)

民

300

---

---

最大

---

0.1

0.1

单位

1

2

J

3

J

Q

辐射源

集热器

BASE

开关特性

V

（ BR ） CEO

I

CBO

I

EBO

VDC

uAdc

MADC

!

PIN 1 。

第2脚。

3脚。

基本特征

h

FE

V

CE （ SAT ）

40

---

250

1.5

---

VDC

www.mccsemi.com

修订版： 2

2003/04/30

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2371

描述

·带

TO- 126封装

高

电压

高

频率

应用

For

电视色度输出和垂直

输出的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-40~150

℃

℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

300

300

6

0.1

0.2

1.25

W

单位

V

V

V

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2SC2371

最大

单位

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 30毫安，我

B

= 3M公司

1.5

V

V

BE

基射极电压上

I

C

= 10毫安; V

CE

=10V

1.2

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

=100μA;I

E

=0

300

V

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安;我

B

=0

300

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 100μA ;我

C

=0

6

V

h

FE

直流电流增益

I

C

= 10毫安; V

CE

=10V

40

250

μA

I

CBO

集电极截止电流

V

CB

= 200V ;我

E

=0

0.1

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= 4V ;我

C

=0

0.1

μA

C

OB

输出电容

I

E

=0; V

CB

=30V;f=1MHz

3

pF

f

T

跃迁频率

I

E

= 10毫安; V

CB

=30V

50

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2371

图2外形尺寸

3

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2371

描述

·带

TO- 126封装

高

电压

高

频率

应用

For

电视色度输出和垂直

输出的应用

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

10

150

-40~150

℃

℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

300

300

6

0.1

0.2

1.25

W

单位

V

V

V

A

A

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2SC2371

最大

单位

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 30毫安，我

B

= 3M公司

1.5

V

V

BE

基射极电压上

I

C

= 10毫安; V

CE

=10V

1.2

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

=100μA;I

E

=0

300

V

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安;我

B

=0

300

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 100μA ;我

C

=0

6

V

h

FE

直流电流增益

I

C

= 10毫安; V

CE

=10V

40

250

μA

I

CBO

集电极截止电流

V

CB

= 200V ;我

E

=0

0.1

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= 4V ;我

C

=0

0.1

μA

C

OB

输出电容

I

E

=0; V

CB

=30V;f=1MHz

3

pF

f

T

跃迁频率

I

E

= 10毫安; V

CB

=30V

50

兆赫

2

JMnic

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包装外形

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图2外形尺寸

3

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原装正品/假一罚十/支持样品/可开发票

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15600

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NEC

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23000

16

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NEC

24+

27200

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20+

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