【数据表硅功率晶体管2SC2335NPN硅TRIPLE DIFFUSED晶体管高速高压开关该2SC23】,IC型号2SC2335,2SC2335 PDF资料,2SC2335经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

硅功率晶体管

2SC2335

NPN硅TRIPLE DIFFUSED晶体管

高速高压开关

该2SC2335是用于高速开发了模具功率晶体管

高压开关，并且非常适合用作设备，例如驾驶员

作为开关稳压器，DC / DC转换器，和高频功率

放大器器。

订购信息

产品型号

2SC2335

包

TO-220AB

特点

低集电极饱和电压： V

CE （ SAT ）

= 1.0 V MAX 。 @I

C

= 3.0 A

开关速度快：吨

f

= 1.0

s最大。 @I

C

= 3.0 A

宽底座反向偏置SOA ： V

CEX(SUS)1

= 450 V MIN 。 @I

C

= 3.0 A

(TO-220AB)

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

°

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C（ DC ）

I

C（脉冲）

I

B（ DC ）

P

T

j

T

英镑

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C

PW

≤

300

s,

占空比

≤

10%

条件

评级

500

400

7.0

15

3.5

40

1.5

150

55

+150

单位

V

A

W

°C

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件D14861EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年4月 CP （ K）

日本印刷

2002

1998

2SC2335

电气特性（T

A

= 25°C)

°

参数

集电极到发射极电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极饱和电压

基本饱和电压

开启时间

贮存时间

下降时间

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEX(SUS)1

V

CEX(SUS)2

I

CBO

I

CER

I

CEX1

I

CEX2

I

EBO

h

FE1

h

FE2

h

FE3

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

t

on

t

英镑

t

f

条件

I

C

= 3.0 A，I

B1

= 0.6 A，L = 1毫亨

I

C

= 3.0 A，I

B1

=

I

B2

= 0.6 A,

V

BE （OFF）的

=

5.0

V，L = 180

H，钳位

I

C

= 6.0 A，I

B1

= 2.0 A,

I

B2

= 0.6 A,

V

BE （OFF）的

=

5.0

V，L = 180

H，钳位

V

CB

= 400 V，I

E

= 0 A

V

CE

= 400 V ，R

BE

= 51

,

T

A

= 125°C

V

CE

= 400 V, V

BE （OFF）的

=

1.5

V

CE

= 400 V, V

BE （OFF）的

=

1.5

V,

T

A

= 125°C

V

EB

= 5.0 V，I

C

= 0 A

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 0.1 A

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 1.0 A

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 3.0 A

I

C

= 3.0 A，I

B

= 0.6 A

记

分钟。

400

450

400

典型值。

马克斯。

单位

V

10

1.0

10

1.0

10

20

10

1.0

1.2

1.0

2.5

1.0

80

A

mA

A

mA

A

记

V

s

I

C

= 3.0 A，I

B

= 0.6 A

I

C

= 3.0 A，R

L

= 50

,

I

B1

=

I

B2

= 0.6 A，V

CC

150 V

参考测试电路。

s

记

脉冲测试PW

≤

350

S，占空比

≤

2%

h

FE

分类

记号

h

FE2

M

20至40

L

30至60

K

40至80

切换时间（T

on

, t

英镑

, t

f

）测试电路

基极电流

波形

集电极电流

波形

2

数据表D14861EJ2V0DS

2SC2335

典型特征（T

A

= 25°C)

°

7RWDO 3RZHU “ LVVLSDWLRQ 3

7

:

： LWK LQILQLWH KHDWVLQN

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

？ PP DOXPLQXP ERDUG ？

QR LQVXODWLQJ ERDUG ？

JUHDVH FRDWLQJ ？ QDWXUDO

DLU FRROLQJ

6LQJOH SXOVH

$ PELHQW 7HPSHUDWXUH 7

$

°

＆放大器;

&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9

& （

9

7UDQVLHQW 7KHUPDO 5HVLVWDQFH ü

WK ？ ·μF

？ ° ？： &

“ HUDWLQJ G7 ？

&DVH 7HPSHUDWXUH 7

＆放大器;

°

＆放大器;

3XOVH ふ3 ： PV

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9

& （

9

&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9

& （

9

数据表D14861EJ2V0DS

3

4

7XUQ ？ 2QW

RQ

V

6WRUDJH7LPH W

VWJ

V

） DOOW

I

V

“ & &XUUHQW * DLQ

)(

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

&ROOHFWRU 6DWXUDWLRQ 9ROWDJH 9

& （？ VDW

9

％ DVH 6DWXUDWLRQ 9ROWDJH 9

％（？ VDW

9

3XOVH WHVW

数据表D14861EJ2V0DS

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

3XOVH WHVW

2SC2335

2SC2335

封装图（单位：mm ）

?? DVH ％

?? &ROOHFWRU

?? （ PLWWHU

?? ） LQ ？ FROOHFWRU

数据表D14861EJ2V0DS

5

A

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO- 220封装

·集电极 - 发射极电压维持

V

CEO （ SUS ）

=400V(Min)

·集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

=1.0V(Max.)@I

C

=3.0A,I

B

=0.6A

·开关时间-T

f

=1.0s(Max.)@I

C

=3.0A

应用

·专为在高电压应用，高

速度，在感性电路功率开关，

特别适用于115和220V开关

模式的应用程序，如开关

稳压器的，逆变器,, DC-DC转换器

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

2SC2335

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

500

400

7

15

3.5

40

150

-50~150

单位

V

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

3.125

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 3.0A ;我

B1

=0.6A,L=1mH

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

V

CB

= 400V ，我

E

=0

V

CE

=400V ;V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=125

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.1A ; V

CE

=5V

I

C

= 1.0A ; V

CE

=5V

I

C

= 3.0A ; V

CE

=5V

20

10

民

400

符号

V

（ SUS ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

2SC2335

典型值。

最大

单位

V

1.0

1.2

10

5.0

10

80

V

A

mA

A

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

V

CC

=150V;I

C

=3.0A;

I

B1

=-I

B2

=600mA;

R

L

=50E

1.0

2.5

1.0

s

h

FE-2

分类

M

20-40

L

30-60

K

40-80

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2335

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2335

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 220封装

-collector极 - 发射极

维持电压

V

CEO （ SUS ）

=400V(Min)

-collector极 - 发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

=1.0V(Max.)@I

C

=3.0A,I

B

=0.6A

切换

时间-T

f

=1.0μs(Max.)@I

C

=3.0A

应用

·设计

对于在高电压用途的，高

速度，在感性电路功率开关，

特别适用于115和220V开关

模式的应用程序，如开关

稳压器的，逆变器,, DC-DC转换器

钉扎

针

1

2

3

BASE

描述

2SC2335

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

参数

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

集热器;连接到

安装底座

辐射源

条件

集电极 - 基极电压

发射极开路

集电极 - 发射极电压

开基

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

OR

CT

U

价值

500

400

7

15

3.5

40

150

-50~150

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

3.125

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ SUS ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 3.0A ;我

B1

=0.6A,L=1mH

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

V

CB

= 400V ，我

E

=0

V

CE

=400V ;V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.1A ; V

CE

=5V

I

C

= 1.0A ; V

CE

=5V

I

C

= 3.0A ; V

CE

=5V

20

民

400

典型值。

2SC2335

最大

单位

V

1.0

1.2

10

5.0

10

80

V

μA

mA

μA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

开启时间

贮存时间

下降时间

V

CC

=150V;I

C

=3.0A;

I

B1

=-I

B2

=600mA;

R

L

=50Ω

10

OR

CT

U

1.0

2.5

1.0

μs

h

FE-2

分类

M

20-40

L

30-60

K

40-80

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2335

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

OR

CT

U

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2335

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

OR

CT

U

4

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 220封装

-collector极 - 发射极

维持电压

V

CEO （ SUS ）

=400V(Min)

-collector极 - 发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

=1.0V(Max.)@I

C

=3.0A,I

B

=0.6A

切换

时间-T

f

=1.0μs(Max.)@I

C

=3.0A

应用

·设计

对于在高电压用途的，高

速度，在感性电路功率开关，

特别适用于115和220V开关

模式的应用程序，如开关

稳压器的，逆变器,, DC-DC转换器

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

2SC2335

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

500

400

7

15

3.5

40

150

-50~150

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

3.125

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ SUS ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 3.0A ;我

B1

=0.6A,L=1mH

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

V

CB

= 400V ，我

E

=0

V

CE

=400V ;V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.1A ; V

CE

=5V

I

C

= 1.0A ; V

CE

=5V

I

C

= 3.0A ; V

CE

=5V

20

10

民

400

典型值。

2SC2335

最大

单位

V

1.0

1.2

10

5.0

10

80

V

μA

mA

μA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

V

CC

=150V;I

C

=3.0A;

I

B1

=-I

B2

=600mA;

R

L

=50Ω

1.0

2.5

1.0

μs

h

FE-2

分类

M

20-40

L

30-60

K

40-80

2

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2335

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2335

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 220封装

-collector极 - 发射极

维持电压

V

CEO （ SUS ）

=400V(Min)

-collector极 - 发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

=1.0V(Max.)@I

C

=3.0A,I

B

=0.6A

切换

时间-T

f

=1.0μs(Max.)@I

C

=3.0A

应用

·设计

对于在高电压用途的，高

速度，在感性电路功率开关，

特别适用于115和220V开关

模式的应用程序，如开关

稳压器的，逆变器,, DC-DC转换器

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

2SC2335

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

500

400

7

15

3.5

40

150

-50~150

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

3.125

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ SUS ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 3.0A ;我

B1

=0.6A,L=1mH

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

I

C

= 3A ;我

B

=0.6A

V

CB

= 400V ，我

E

=0

V

CE

=400V ;V

BE （OFF）的

=-1.5V

T

C

=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.1A ; V

CE

=5V

I

C

= 1.0A ; V

CE

=5V

I

C

= 3.0A ; V

CE

=5V

20

10

民

400

典型值。

2SC2335

最大

单位

V

1.0

1.2

10

5.0

10

80

V

μA

mA

μA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

V

CC

=150V;I

C

=3.0A;

I

B1

=-I

B2

=600mA;

R

L

=50Ω

1.0

2.5

1.0

μs

h

FE-2

分类

M

20-40

L

30-60

K

40-80

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC2335

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC2335

4