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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2260
描述
·采用TO-3封装
·补键入2SA980
应用
·对于电源开关和一般用途
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
160
100
6
8
3
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 160V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
30
民
100
6
2SC2260
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
0.1
0.1
180
15
V
mA
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2260
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
2SC2260
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
高
电源Dissipation-
: P
C
= 80W(Max.)@T
C
=25℃
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 100V （最小）。
.Complement
到类型2SA980
应用
·设计
对于一般用途的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
160
V
100
V
6
V
8
A
3
A
80
W
I
C
集电极电流连续
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
P
C
T
j
150
℃
T
英镑
储存温度
-65~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
2SC2260
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
100
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 160V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
30
f
T
电流增益带宽积
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
E
= -0.5A ; V
CE
= 12V
15
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
2SC2260
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
高
电源Dissipation-
: P
C
= 80W(Max.)@T
C
=25℃
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 100V （最小）。
.Complement
到类型2SA980
应用
·设计
对于一般用途的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
160
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
100
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流连续
8
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
3
A
P
C
80
W
T
j
150
℃
T
英镑
储存温度
-65~150
℃
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
2SC2260
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
100
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 160V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
30
f
T
电流增益带宽积
I
E
= -0.5A ; V
CE
= 12V
15
兆赫
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2052
2ALF1LB-024
212X01N224RD2
2004-6110-00
供货商
型号
厂家
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数量
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC2260
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    -
    -
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