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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC2078
描述
-collector极 - 发射极
电压 -
:V
CER
= 75V （最小值） ; R
BE
=150Ω
-collector
电流 -
:I
C
=3A
应用
·27MHz
射频功率放大器应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
R
BE
=150Ω
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
80
单位
V
75
5
V
V
3
A
5
1.2
W
10
150
-55~150
℃
℃
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=50℃
T
J
T
英镑
结温
存储温度范围
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC2078
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 0.1毫安;我
B
= 0
80
V
V
（ BR ） CER
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 0.1毫安;
BE
=150Ω
75
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 0.1毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.1A
0.6
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.1A
1.2
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
C
OB
输出电容
f
T
电流增益带宽积
w
D
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CB
= 40V ;我
E
= 0
V
EB
= 4V ;我
C
= 0
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5V
25
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
100
4.0
V
CC
= 12V ; P
in
= 0.2W ， F = 27MHz时
60
10
μA
10
μA
200
45
60
pF
兆赫
P
O
输出功率
W
η
功率英法fi效率
%
h
FE
分类
B
25-50
C
40-80
E
100-200
60-120
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2078
·威特
描述
用TO-220封装
·低集电极饱和电压
应用
· 27MHz的射频功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
80
75
5
3
5
1.2
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 1A ;我
B
=0.1 A
I
C
= 1A ;我
B
=0.1 A
I
C
= 0.1毫安;我
E
=0
I
C
=1mA;R
BE
=150<
I
E
= 0.1毫安;我
C
=0
V
CB
=40V;I
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
100
25
45
80
75
5
民
2SC2078
符号
V
CESAT
V
BESAT
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
典型值。
0.15
0.9
最大
0.6
1.2
单位
V
V
V
V
V
10
10
200
A
A
pF
兆赫
h
FE
分类
B
25-50
C
40-80
D
60-120
E
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2078
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
产品speci fi cation
27MHz的射频功率放大器应用
2SC2078
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗在
马克斯。工作结温
l
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
价值
80
75
5.0
3.0
1.5
10
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
储存温度
TO-220
电气特性（Ta = 25℃）
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
符号
测试条件
V
CE
= 40V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=0.5A
V
CE
= 5V ，我
C
=1.0A
分钟。
—
—
75
25
10
—
—
100
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
150
45
马克斯。
10
10
—
200
—
0.6
1.2
—
60
V
V
兆赫
pF
单位
uA
uA
V
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
I
C
=1.0A,I
B
=0.1A
V
BE （ SAT ）
I
C
=1.0A,I
B
=0.1A
f
T
C
ob
V
CE
= 10V ，我
C
=0.1A
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1.0MHz
h
FE
分类
分类
h
FE1
B
25 ~ 50
C
40 ~ 80
D
60 ~ 120
E
100 ~ 200
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推荐型号
2-215083-4
2SB1657
20KPA216A
24E24S
25SCR33M
2N6988JANTX
28-6574-18
2N4348
2SK1081-01
2320322
2SK3511
23L6413-90
2908-5007-62
2-406549-5
218ANS-1084Z
27C17AT-25P
2SK3930-01SJ
2SB0792
2034
226.16
供货商
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电话：755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道）
联系人：张小姐
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2SC2078
SANYO
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