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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1894
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
·低集电极饱和电压
应用
·对于彩电行输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 750V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
10
民
600
5
2SC1894
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
5.0
1.5
50
50
40
3
155
V
V
A
A
兆赫
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1894
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1894
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
导½
半
ES
G
的HAn
INC。
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极 - 基极电压
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
1500
600
5
5
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
50
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1894
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
600
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 750V ;我
E
=0
50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
50
h
FE
直流电流增益
f
T
C
OB
固电
IN
跃迁频率
导½
半
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
10
40
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
集电极输出电容
昂
CH
MIC
ê SE
ND
O
OR
UCT
3
155
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1894
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1894
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1894
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
600
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 750V ;我
E
=0
50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
50
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
10
40
f
T
C
OB
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
3
兆赫
集电极输出电容
155
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1894
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1894
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1894
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
600
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 750V ;我
E
=0
50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
50
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FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
10
40
f
T
C
OB
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
3
兆赫
集电极输出电容
155
pF
2
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