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> 2SC1880
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1880
描述
·带
TO- 220封装
·达林顿
高
直流电流增益
应用
For
工业用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值( TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
120
120
5
2
4
15
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 30mA时我
B
=0
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
E
= 50mA时我
C
=0
I
C
= 2A ,我
B
=8mA
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
CE
= 100V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=2V
1000
民
120
120
5
2SC1880
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.2
0.1
0.1
50
V
mA
mA
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1880
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1880
描述
·采用TO- 220封装
·达林顿
·高直流电流增益
应用
·工业用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值( TC = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
120
120
5
2
4
15
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 30mA时我
B
=0
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
E
= 50mA时我
C
=0
I
C
= 2A ,我
B
=8mA
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
CE
= 100V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=2V
1000
民
120
120
5
2SC1880
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.2
0.1
0.1
50
V
mA
mA
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1880
图2外形尺寸
3
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2SC1880
PDF信息
推荐型号
290-022-2600
202198B
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279.1
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250U15L102A1CA
27CX642C-55
295T820R103C31
2SC2383-O
2SC2383O
204-15UTC-S400-X9
2N1140
2A81
296UC252B2B
2W02MRC203
2SB1233AQ
212_07
供货商
型号
厂家
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封装
单价/备注
操作
深圳市壹芯创科技有限公司
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QQ:2880707522
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
2SC1880
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终端采购配单精选
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2SC1880
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2SC1880
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TO-220
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