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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1870
描述
·采用TO-3封装
·高开关速度
应用
·对于功率开关应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
最高可额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
mb
*25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
300
250
7
10
3
100
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
1.25
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 300V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
15
民
250
300
7
2SC1870
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
0.1
0.1
V
V
mA
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1870
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1870
描述
·带
TO- 3封装
高
开关速度
应用
For
电源开关应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
最高可额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
mb
≤25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
300
250
7
10
3
100
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
1.25
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 300V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
15
民
250
300
7
2SC1870
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
0.1
0.1
V
V
mA
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1870
图2外形尺寸
3
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供货商
型号
厂家
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封装
单价/备注
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    2SC1870
    -
    -
    -
    -
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NEC
15+
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全新原装公司现货
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2SC1870
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