直流分量CO 。 ， LTD 。
R
2SC1674
分立半导体
作者： NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为电视PIF ， FM调谐器RF放大器，混频器，
和振荡器的应用。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
.500
民
(12.70)
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
o
C)
等级
30
20
4
20
150
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
符号
.050
典型值
(1.27)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.022(0.56)
.014(0.36)
3 2 1
.148(3.76)
.132(3.36)
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
（ 1.27 ） TYP
尺寸以英寸（毫米）
C
C
电气特性
o
特征
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
(1)
（在25℃环境温度额定值除非另有说明）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
民
30
20
4
-
-
-
-
40
400
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
0.1
0.72
-
600
-
最大
-
-
-
0.1
0.1
0.3
-
240
-
1.3
单位
V
V
V
A
A
V
V
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 1mA时， V
CE
=6V
I
C
= 1mA时， V
CE
=6V
I
C
= 1mA时， V
CE
=6V
V
CB
= 6V ， F = 1MHz时，我
E
=0
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
ob
跃迁频率
输出电容
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
380μs ，占空比
分类h及
FE
秩
范围
R
40~80
O
70~140
Y
120~240
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
TO- 92塑封装晶体管
2SC1674
晶体管（ NPN ）
TO-92
特点
高电流增益带宽乘积F
T
=600MHz(Typ.),
高功率增益G
PE
= 22分贝在f = 100MHz的
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
30
20
4
20
250
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
1 2 3
1.EMITTER
2个集热器
3. BASE
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
TEST
条件
民
30
20
4
0.1
0.1
40
180
0.3
0.65
400
1.3
0.77
V
V
兆赫
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
= 6 V，I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 6 V，I
C
= 1毫安
V
CE
=6V,I
E
= 0中，f = 1MHz的
f
T
C
ob
pF
分类h及
FE
秩
范围
Y
40-80
GR
60-120
BL
90-180
2SC1674
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
0.02 A， 30 V
NPN塑料封装晶体管
特点
通用开关和放大
TO-92
G
H
：辐射源
-collector
： BASE
D
REF 。
J
分类h及
FE
产品等级
范围
2SC1674-Y
40~80
2SC1674-GR
60~120
2SC1674-BL
90~180
K
A
B
E
C
F
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
集热器
BASE
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
30
20
4
20
250
500
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
mW
C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家切 - 关电流
收藏家切 - 关电流
发射器切 - 关电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
分钟。
30
20
4
-
-
-
40
-
0.65
400
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
0.1
180
0.3
0.77
-
1.3
单位
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 0.1毫安，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 0.1毫安，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
CE
= 20V ，我
B
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
V
CE
= 6V ，我
C
=1mA
V
CE
= 6V ，我
C
=1mA
V
CB
= 6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
21 -FEB- 2011版本A
第1页1
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