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为了我们的客户，

旧公司名称在产品目录等资料

4月1日

2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技

公司和瑞萨

电子公司

接手两者的所有业务

公司。

因此，尽管老公司的名称仍然是这个文件中，它是一种有效的

瑞萨

电子文档。我们感谢您的理解。

瑞萨电子网站： http://www.renesas.com

4月1日

, 2010

瑞萨电子公司

由...发出：

瑞萨电子公司

（ http://www.renesas.com ）

任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。

通告

本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息，但是，是

如有更改，恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品，请前

确认与瑞萨电子销售办事处最新的产品信息。另外，请大家定期和仔细注意

另外，不同的信息由瑞萨电子披露，例如，通过我们的网站上披露。

瑞萨电子不承担侵权的专利，版权或其他知识产权的任何法律责任

第三方通过或从使用瑞萨电子的产品或本文档中描述的技术信息而引起。

没有许可证，明示，暗示或其他，是任何专利，版权或其他知识产权授予兹

瑞萨电子或其他人。

你不应该改变，修改，复制或以其他方式侵占瑞萨电子产品，不论是全部或部分转载。

仅被提供的电路，软件和本文件中的相关信息的描述来说明的操作

半导体产品和应用实例。你是全权负责这些电路，软件的结合，

而在你的设备的设计资料。瑞萨电电子不承担任何损失承担任何责任

你还是从使用这些电路，软件以及相关信息而产生的第三方。

当出口本文档中描述的产品或技术，你应该遵守适用的出口管制

法律，法规，并按照这些法律和法规规定的程序。你不应该使用瑞萨

电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术

军队，包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品

技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或禁止出售

根据任何适用的国内或外国的法律或法规。

瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息，使用合理的照顾，但瑞萨电子

不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任

招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。

瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为： “标准” ， “高品质” ，而

“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级，

如下所示。在特定的使用它之前，你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级

应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序

瑞萨电子的书面同意。此外，您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序

它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子，不得以任何方式

从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任

应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面

瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ，除非另有

在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定

电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频

设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。

“高品质” ：运输设备（汽车，火车，船舶等） ;交通控制系统;防灾系统;反

犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。

“具体” ：

飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或

生命支持系统（如人工生命支持设备或系统），外科手术植入，或保健

介入治疗（如切除等），并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。

您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内，

特别是相对于最大额定值，工作电源电压范围，移动电源电压范围时，热辐射

特点，安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或

由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。

本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性，半导体产品有

具体特点，如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外，

瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施，

防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性，并伤害或损坏

瑞萨电子产品，如安全性设计的硬件和软件，包括但不限于冗余，火

控制和故障的预防，对于老化降解或任何其他适当的措施，适当的治疗。因为

单独微机软件的评价是非常困难的，请评价最终产品或系统的安全性

由你制造的。

请联系瑞萨电子销售办事处联系，以环境问题，如环境

每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用

该规范的受控物质列入或使用，包括但不限于欧盟RoHS法规

指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任

适用法律和法规。

本文不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，瑞萨没有事先书面同意

电子产品。

如果需要了解关于本资料的任何问题，请联系瑞萨电子销售办事处

文档或瑞萨电子的产品，或者如果您有任何疑问。

“标准” ：

10.

11.

12.

（注1 ） “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-

资子公司。

（注2 ） “瑞萨电子的产品（S ） ”，是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。

数据表

硅晶体管

2SC1623

NPN硅外延型晶体管

MINI模具

特点

高直流电流增益：

= 200 TYP 。（V

= 6.0 V，I

= 1.0 mA）的

高电压： V

首席执行官

= 50 V

<R>

封装图（单位：mm ）

2.8 ± 0.2

0.4

+0.1

–0.05

1.5 TYP 。

0.65

–0.15

+0.1

绝对最大额定值（T

= 25°C)

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

结温

存储温度范围

CBO

首席执行官

EBO

5.0

100

200

150

°C

英镑

+150

°C

0.95

典型值。

0.95

典型值。

2.9 ± 0.2

0.3

典型值。

记号

1.1至1.4

1 ：发射器

2 ：基本

3 ：收藏家

电气特性（T

= 25°C)

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极饱和电压

基地饱和电压

基地发射极电压

增益带宽积

符号

CBO

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

0.55

200

0.15

0.86

0.62

250

3.0

分钟。

典型值。

马克斯。

0.1

600

0.3

1.0

0.65

兆赫

单位

测试条件

= 60 V，I

= 0 A

= 5.0 V，I

= 0 A

= 6.0 V，I

= 1.0毫安

= 100毫安，我

= 10毫安

= 100毫安，我

= 10毫安

记

= 6.0 V，I

= 1.0毫安

= 6.0 V，I

= 0 ， F = 1.0 MHz的

<R>

输出电容

记

脉冲： PW

≤

350

S，占空比

≤

分类

记号

90至180

135 270

200至400

300至600

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签

销售代表查询产品供应及其他信息。

一号文件D17115EJ5V0DS00 （第5版）

发布日期2005年11月NS CP （ K）

日本印刷

0-0.1

0.16

+0.1

–0.06

+0.1

0.4

–0.05

1984

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

2SC1623

<R>

典型特征（T

= 25°C)

总功耗对比

环境温度

200

- 总功率耗散 - 毫瓦

180

160

140

120

100

–20 0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

- 环境温度 - C

自由的空气

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

100

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

- 集电极电流 - 毫安

0.3

0.2

= 5.0

- 0.1毫安

0.4

0.8

1.2

1.6

- 集电极到发射极电压 - V

2.0

- 集电极到发射极电压 - V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

直流电流增益主场迎战

集电极电流

= 6.0 V

脉冲

1000

- 直流电流增益

500

300

100

0.1 0.2

- 直流电流增益

1000

500

300

100

0.1 0.2

= 75C

25C

–25C

= 6.0 V

1.0 V

0.5 V

0.5 1.0 2.0 5.0 10 20

- 集电极电流 - 毫安

50 100

0.5 1.0 2.0 5.0 10 20

- 集电极电流 - 毫安

50 100

数据表D17115EJ5V0DS

2SC1623

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

= 6.0 V

50脉冲

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

集电极和基极饱和

电压与集电极电流

BE （ SAT ）

- 基本饱和电压 - V

CE（猫）

- 集电极饱和电压 - V

100

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1 0.2

0.5 1

5 10 20

- 集电极电流 - 毫安

CE （ SAT ）

= 50

BE （ SAT ）

脉冲

= 50

- 集电极电流 - 毫安

25 C

–25

0.2 0.3

0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

- 基地发射极电压 - V

1.0

50 100

增益带宽积主场迎战

发射极电流

10000

100

输入和输出电容

与反向电压

F = 1.0 MHz的

- 增益带宽积 - 兆赫

5000

2000

1000

500

200

100

–0.1 –0.2

=10 V

- 输入电容 - pF的

- 输出电容 - pF的

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2

=0A

)

=0A

)

–0.5 –1 –2

–5 –10 –20

- 发射极电流 - 毫安

–50 –100

0.5 1

5 10 20

50 100

- 集电极基极电压 - V

- Emittor基极电压 - V

小信号电流增益主场迎战

直流电流增益

1000

输入阻抗电压反馈

比和输出导纳主场迎战

小信号电流增益

100

- 电压反馈率 -

×10

–4

- 小信号电流增益

- 输出导纳 -

800

- 输入阻抗 - 千欧

= 6.0 V

= 1.0毫安

F = 1.0千赫

= 6.0 V

= 1.0毫安

F = 1.0千赫

600

400

200

400

600

800

- 直流电流增益

1000

200

400

600

800

- 小信号电流增益

1000

数据表D17115EJ5V0DS