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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1586
描述
·采用TO-3封装
·高功耗
·高电流能力
应用
·对于音频功率放大器和一般
用途的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
250
200
6
15
4
150
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 25毫安，我
B
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 250V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
110
60
民
200
6
2SC1586
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
2.0
0.1
0.1
V
mA
mA
10
兆赫
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1586
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1586
描述
·带
TO- 3封装
高
功耗
高
电流能力
应用
For
音频功率放大器和一般
用途的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
250
200
6
15
4
150
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1586
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 25毫安，我
B
=0
200
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
6
V
集电极 - 发射极饱和电压
2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 250V ;我
E
=0
0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
60
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
10
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
110
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1586
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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