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晶体管
2SC1518
NPN硅外延平面型
对于磁带录像机的高频振荡偏
用于DC-DC转换器
5.9±0.2
单位:mm
4.9±0.2
q
q
2.54±0.15
(Ta=25C)
评级
25
20
5
1.5
1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
0.45
–0.1
1.27
1.27
+0.2
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
13.5±0.5
s
绝对最大额定值
0.7
–0.2
+0.3
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
良好的运行性能,高效率与
低电压电源。
0.7±0.1
8.6±0.2
s
特点
0.45
–0.1
+0.2
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
基地发射极饱和电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 25V ,我
E
= 0
V
CE
= 20V ,我
B
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 2V ,我
C
= 500毫安
*2
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
*2
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
*2
I
C
= 1A ,我
B
=
50mA
*2
150
12
*2
典型值
3.2
1
2
3
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
EIAJ : SC- 51
TO- 92L封装
最大
100
1
单位
nA
A
V
V
V
25
20
5
90
50
100
1.2
0.5
330
V
V
兆赫
V
CB
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
20
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
Q
90 ~ 155
R
130 ~ 220
S
185 ~ 330
h
FE1
1
晶体管
P
C
- TA
1.2
1.2
Ta=25C
2SC1518
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
30
10
3
1
Ta=75C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
25C
–25C
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=20
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
1.0
集电极电流I
C
(A)
I
B
=5.0mA
0.8
4.5mA
4.0mA
3.5mA
0.6
3.0mA
2.5mA
0.4
2.0mA
1.5mA
0.2
1.0mA
0.5mA
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
0.1
0.3
1
3
10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
I
C
— I
B
1.0
0.9
V
BE ( SAT )
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
V
CE
=2V
Ta=25C
100
30
I
C
/I
B
=10
1.6
I
C
— V
BE ( SAT )
Ta=25C
1.4
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
10
3
25C
1
75C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
/I
B
=20 10
0.1
0.3
1
3
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极电流I
B
(MA )
集电极电流I
C
(A)
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
h
FE
— I
C
600
V
CE
=2V
200
180
500
f
T
— I
E
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CB
=10V
Ta=25C
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
–3
–10
–30
–100
1
3
C
ob
— V
CB
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
(兆赫)
0.3
1
3
10
160
140
120
100
80
60
40
20
400
300
Ta=75C
25C
–25C
200
100
0
0.01 0.03
0.1
0
–1
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
2
晶体管
I
CBO
- TA
10
4
V
CB
=25V
10
5
2SC1518
I
首席执行官
- TA
V
CE
=20V
安全操作区( ASO )
10
单脉冲
Ta=25C
集电极电流I
C
(A)
10
4
10
3
3
I
CP
1
I
C
t=50ms
0.3
DC
I
CBO
(TA)
I
CBO
(Ta=25C)
I
首席执行官
(TA)
I
首席执行官
(Ta=25C)
10
3
10
2
10
2
0.1
10
10
0.03
1
0
20
40
60
80 100 120 140 160
1
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
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及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
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从我们公司。
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梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC1518S
    -
    -
    -
    -
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