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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1449
描述
·采用TO- 126封装
·低集电极饱和电压
应用
·低频功率放大
·高频放大
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
40
35
5
2
1
1.0
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
集电极截止电流
发射极截止电流
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
=100A;I
E
=0
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
E
= 100μA ;我
C
=0
I
C
= 500毫安，我
B
= 50米一
I
C
= 500毫安，我
B
= 50米一
I
C
= 300毫安; V
CE
=2V
V
CB
= 35V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
40
民
40
35
5
2SC1449
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.7
1.5
250
0.5
0.5
20
55
V
V
A
A
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1449
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1449
描述
·带
TO- 126封装
ULOW
集电极饱和电压
应用
ULOW
高频功率放大
高
频放大
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
40
35
5
2
1
1.0
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
OB
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
集电极截止电流
发射极截止电流
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
=100μA;I
E
=0
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
E
= 100μA ;我
C
=0
I
C
= 500毫安，我
B
= 50米一
I
C
= 500毫安，我
B
= 50米一
I
C
= 300毫安; V
CE
=2V
V
CB
= 35V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
20
55
40
民
40
35
5
典型值。
2SC1449
最大
单位
V
V
V
0.7
1.5
250
0.5
0.5
V
V
μA
μA
pF
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1449
图2外形尺寸
3
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2SD1835R
22-28-3104
2SK3571
207516-3
20020107-C061A01LF
2SB1328P
2SD1341P
2SA1530A
2SD1235R
2N652
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型号
厂家
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    2SC1449
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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2SC1449
NEC
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