【2SC1345(K)NPN硅外延ADE - 208-1053 （ Z）1日。版2001年3月应用低频】,IC型号2SC1345KE,2SC1345KE PDF资料,2SC1345KE经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SC1345(K)

NPN硅外延

ADE - 208-1053 （ Z）

1日。版

2001年3月

应用

低频率的低噪声放大器

概要

TO-92 （1）

1.发射器

2.收集

3. BASE

3

2

1

2SC1345 （ K）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

Tj

TSTG

评级

55

50

5

100

200

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

V

（ BR ） CBO

民

55

50

5

—

—

250

—

—

—

—

—

—

注意：

D

250至500

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

2.3

230

—

—

最大

—

—

—

0.5

0.5

1200

0.75

0.5

3.5

—

8

1

V

V

pF

兆赫

dB

dB

单位

V

V

V

A

A

测试条件

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

C

= 1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 18 V，I

E

= 0

V

EB

= 2 V，I

C

= 0

V

CE

= 12 V，I

C

= 2毫安

V

CE

= 12 V，I

C

= 2毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1毫安

V

CB

= 10 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

V

CE

= 12 V，I

C

= 2毫安

V

CE

= 6 V，I

C

= 0.1毫安，

F = 10赫兹，R

g

= 10 k

V

CE

= 6 V，I

C

= 0.1毫安，

F = 1千赫，R

g

= 10 k

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和

电压

集电极输出电容

增益带宽积

噪声系数

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

*

1

V

BE

V

CE （ SAT ）

COB

f

T

NF

1. 2SC1345 （K）用h分组

FE

如下。

E

400至800

F

600至1200

2

2SC1345 （ K）

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

C

（ mW）的

250

10

典型的输出特性

26

24

22

20

18

16

14

12

10

8

6

4

2

A

I

B

= 0

P

C

=

20

0

m

200

集电极电流I

C

（MA ）

8

W

150

6

100

4

50

2

0

100

150

50

环境温度Ta （C ）

0

4

8

12

16

20

集电极到发射极电压V

CE

(V)

24

集电极截止电流 -

集电极 - 基极电压

典型的传输特性

5

V

CE

= 12 V

集电极电流I

C

（MA ）

4

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

（ nA的）

30

10

3

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

基极至发射极电压V

BE

(V)

0

10

20

30

40

50

集电极基极电压V

CB

(V)

TA = 25°C

50

100

100

75

3

2

1

3

2SC1345 （ K）

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

直流电流传输比H

FE

V

CE

= 12 V

400

集电极到发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

500

0.24

0.20

0.16

0.12

0.08

0.04

0

0.1

I

C

= 10 I

B

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

T

300

C

5

°

=7 0

a

5

25

0

–25

200

100

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2 5 10 20

集电极电流I

C

（MA ）

50

0.3

1.0

3

10

30

集电极电流I

C

（MA ）

100

集电极输出电容C

ob

（PF ）

基地发射极电压与

环境温度

0.9

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE

= 12 V

I

C

= 2毫安

输入和输出电容与电压

7

F = 1 MHz的

发射器的输入电容C

ib

（PF ）

6

5

4

3

2

1

0

0.1

C

ob

(I

E

= 0)

C

ib

(I

C

= 0)

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

–20

0

20

40

60

环境温度Ta （C ）

80

0.3

1.0

3

10

集电极基极电压V

CB

(V)

发射器基极电压V

EB

(V)

30

4

2SC1345 （ K）

增益带宽积主场迎战

集电极电流

300

V

CE

= 12 V

增益带宽乘积F

T

（兆赫）

100

信号源电阻R

g

(k)

30

10

3

1.0

0.3

0.1

0.001 0.003

1

恒噪声等高线图

V

CE

= 6 V

F = 10赫兹

dB

10

dB

8

dB

6 B

d

4分贝

2

dB

1

dB

B

200

2d

4d

6d

B

100

B

8d

B

10

dB

0

1

2

5

10

20

50

100

集电极电流I

C

（MA ）

0.01 0.03

0.1

0.3

集电极电流I

C

（MA ）

1.0

3.0

恒噪声等高线图

100

信号源电阻R

g

(k)

30

10

3

1.0

0.3

V

CE

= 6 V

F = 1千赫

1

dB

1

dB

2

dB

6 8 10 d

分贝分贝B

4

dB

2

4

6

dB

dB

dB

8

dB

10

dB

0.1

0.001 0.003

0.01 0.03

0.1

0.3

集电极电流I

C

（MA ）

1.0

3.0

5

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