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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1309
·
描述
·采用TO-3封装
·高电压，高转速
应用
·对于电视的垂直偏转输出
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1200
500
6
5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
E
= 1.0毫安;我
C
=0
I
C
= 5 A;我
B
=1.2 A
I
C
= 5 A;我
B
=1.2 A
V
CB
=1200V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=10V
10
民
500
5
2SC1309
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
10
2
1.0
1.0
V
V
mA
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1309
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1309
描述
·带
TO- 3封装
高
电压，高速
应用
For
电视垂直偏转输出
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
·
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1200
500
6
5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
E
= 1.0毫安;我
C
=0
I
C
= 5 A;我
B
=1.2 A
I
C
= 5 A;我
B
=1.2 A
V
CB
=1200V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=10V
10
民
500
5
2SC1309
典型值。
最大
单位
V
V
10
2
1.0
1.0
V
V
mA
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1309
图2外形尺寸
3
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