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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1111
描述
·带
TO- 3封装
ùWide
安全工作区
应用
For
音频功率放大器
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
140
80
5
6
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 140V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
115
30
民
80
5
2SC1111
典型值。
最大
单位
V
V
2.0
0.1
0.1
150
10
V
mA
mA
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1111
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1111
描述
·采用TO-3封装
·安全运行的广域
应用
·对于音频功率放大器
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
? )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25?
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
140
80
5
6
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
?
?
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 140V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
115
30
民
80
5
2SC1111
典型值。
最大
单位
V
V
2.0
0.1
0.1
150
10
V
mA
mA
兆赫
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1111
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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