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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1046
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
应用
·对于CRT的水平输出应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
? )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25?
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1000
400
6
3
25
125
-40~125
单位
V
V
V
A
W
?
?
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1046
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
=0
400
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
=0
1000
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿votage
I
E
= 1毫安;我
C
=0
6
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2 A;我
B
=0.4A
2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=800V;I
E
=0
10
A
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
=5V;I
C
=0
10
A
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2 A; V
CE
=5V
4
20
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1046
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1046
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
应用
For
CRT的水平输出应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
·
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1000
400
6
3
25
125
-40~125
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1046
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
=0
400
V
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
1000
V
发射极 - 基极击穿votage
6
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2 A;我
B
=0.4A
2.0
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=800V;I
E
=0
10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
=5V;I
C
=0
10
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2 A; V
CE
=5V
4
20
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1046
图2外形尺寸
3
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2N3242A
27C04AT-20P
2SD1975P
2SC3114
供货商
型号
厂家
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封装
单价/备注
操作
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    2SC1046
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    -
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