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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1034
描述
·采用TO- 66封装
·高击穿电压
应用
·对于水平偏转输出应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
? )
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25?
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1100
13
1
25
150
-65~150
单位
V
V
A
W
?
?
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1034
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
E
=0
1100
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 5毫安;我
C
=0
13
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 750毫安;我
B
= 75米一
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 750毫安;我
B
= 75米一
1.4
V
V
CB
=50V;I
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=800V;I
E
=0
0.2
mA
5.0
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 8V ;我
C
=0
4
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 750毫安; V
CE
=3V
4
40
f
T
跃迁频率
I
E
= -0.2A ; V
CE
=10V
5
兆赫
C
ob
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
95
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1034
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1034
描述
·带
TO- 66封装
高
击穿电压
应用
For
水平偏转输出应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1100
13
1
25
150
-65~150
单位
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1034
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
E
=0
1100
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 5毫安;我
C
=0
13
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 750毫安;我
B
= 75米一
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 750毫安;我
B
= 75米一
1.4
V
V
CB
=50V;I
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=800V;I
E
=0
0.2
mA
5.0
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 8V ;我
C
=0
4
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 750毫安; V
CE
=3V
4
40
f
T
跃迁频率
I
E
= -0.2A ; V
CE
=10V
5
兆赫
C
ob
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
95
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1034
图2外形尺寸
3
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