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晶体管
2SB0976
(2SB976)
PNP硅外延平面型
对于低频输出放大
用于DC-DC转换器
对于频闪仪
5.0±0.2
单位:mm
4.0±0.2
I
特点
G
G
I
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–27
–18
–7
–8
–5
0.75
150
–55 ~ +150
单位
V
V
2.3±0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
13.5±0.5
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
大的集电极电流I
C
.
5.1±0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
V
1 2 3
A
A
W
C
C
2.54±0.15
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
JEDEC : TO- 92
EIAJ : SC- 43A
I
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE*1
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -10V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= –2A
*2
I
C
= -3A ,我
B
= –0.1A
*2
V
CB
= -6V ,我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -20V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
–18
–7
125
– 0.4
120
60
*2
典型值
最大
–100
–1
单位
nA
A
V
V
625
–1
V
兆赫
pF
脉冲测量
*1
h
FE
等级分类
Q
125 ~ 205
R
180 ~ 625
h
FE
注)括号中的部分数字显示传统的零件编号。
1
晶体管
P
C
- TA
1.0
–6
Ta=25C
I
B
=–40mA
–5
–35mA
–30mA
–25mA
–4
–20mA
–15mA
–10mA
–2
–5mA
–1
–1mA
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
0
0
– 0.4
– 0.8
–10
2SB0976
I
C
— V
CE
–12
V
CE
=–2V
I
C
—V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
0.9
集电极电流I
C
(A)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
集电极电流I
C
(A)
0.8
–8
Ta=75C
–6
25C
–3
–25C
–4
–2
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=30
1000
900
h
FE
— I
C
240
V
CE
=–2V
f
T
— I
E
V
CB
=–6V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
(兆赫)
–1
–3
–10
800
700
600
500
Ta=75C
400
300
200
100
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
25C
–25C
200
160
120
– 0.3
– 0.1
80
40
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0
1
3
10
30
100
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(MA )
C
ob
— V
CB
200
集电极输出电容C
ob
(PF )
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–1
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本资料的任何部分,未经书面许可,不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因,本资料中的任何信息,如可用的
产品类型,技术参数等,如有更改,恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
在开始之前,精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SB976R
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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