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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB975
描述
·采用TO- 220封装
·达林顿
·高直流电流增益
·低集电极饱和电压
应用
·低频功率放大
·低功耗高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.5
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-5
-8
40
W
单位
V
V
V
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB975
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= -30mA ;我
B
=0
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -5mA ，我
C
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-3mA
I
C
= -3A ;我
B
=-3mA
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
CE
= -50V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
2000
民
-100
-100
-5
-1.5
-2.0
-1
-100
-5.0
15000
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB975
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB975
描述
高
直流电流GAIN-
: h
FE
= 2000 （最小值） @我
C
= -
3A
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= -1.5V （最大值） @我
C
= -
3A
.Complement
到类型2SD1309
应用
·设计
对于音频功率放大器和低速
开关工业用途。
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流DC
集电极耗散功率
T
C
=25℃
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
-150
单位
V
-100
-7
V
V
-8
-12
-0.8
40
W
1.5
150
-55~150
℃
℃
A
A
A
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB975
最大
单位
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ，我
B
= -3mA
B
-1.5
V
基射极饱和电压
I
C
= -3A ，我
B
= -3mA
B
-2.0
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -100V ，我
E
= 0
-1.0
I
EBO
h
FE-1
发射Cuto FF电流
V
EB
= -7V ;我
C
= 0
I
C
= -3A ; V
CE
= -2V
2000
-5
mA
直流电流增益
15000
h
FE-2
直流电流增益
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
h
FE-1
分类
M
2000-5000
L
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= -5A ; V
CE
= -2V
500
R
L
= 16.7Ω, V
CC
≈
-50V
I
C
= -3A ;我
B1
= -I
B2
= -3mA
0.5
μs
μs
μs
1.0
1.0
K
5000-15000
3000-7000
ISC的网站： www.iscsemi.cn
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB975
描述
·采用TO- 220封装
·达林顿
·高直流电流增益
·低集电极饱和电压
应用
·低频功率放大
·低功耗高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.5
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-5
-8
40
W
单位
V
V
V
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB975
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= -30mA ;我
B
=0
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -5mA ，我
C
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-3mA
I
C
= -3A ;我
B
=-3mA
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
CE
= -50V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
2000
民
-100
-100
-5
-1.5
-2.0
-1
-100
-5.0
15000
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB975
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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    2SB975
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