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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第517页 > 2SB952A
功率晶体管
2SB0952
(2SB952)
, 2SB0952A
(2SB952A)
PNP硅外延平面型
用于低压开关
单位:mm
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
高速开关
N型包使散热片直接焊接到
印刷电路板的小型电子设备等。
10.0
±0.3
1.5
±0.1
8.5
±0.2
6.0
±0.2
3.4
±0.3
1.0
±0.1
4.4
±0.5
2.0
±0.5
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
2SB0952
2SB0952A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
T
a
=
25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
等级
40
50
20
40
5
7
12
30
1.3
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
2.54
±0.3
1.4
±0.1
5.08
±0.5
1
2
3
0.8
±0.1
R = 0.5
R = 0.5
1.0
±0.1
0.4
±0.1
(8.5)
(6.0)
4.4
±0.5
00.4
集电极 - 发射极电压2SB0952
(基地开)
2SB0952A
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
(6.5)
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N-二G1套餐
注)自支撑式封装也准备。
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极 - 基极截止
电流(发射极开路)
2SB0952
2SB0952A
2SB0952
2SB0952A
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
I
CBO
V
CB
= 40
V,I
E
=
0
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
EB
= 5
V,I
C
=
0
V
CE
= 2
V,I
C
=
0.1 A
V
CE
= 2
V,I
C
= 2
A
I
C
= 5
A,I
B
=
0.16 A
I
C
= 5
A,I
B
=
0.16 A
V
CE
= 10
V,I
C
=
0.5 A,F
=
10兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
= 0,
f
=
1兆赫
I
C
= 2
A
I
B1
= 66
妈,我
B2
=
66毫安
V
CC
= 20
V
150
140
0.1
0.5
0.1
45
60
260
0.6
1.5
V
V
兆赫
兆赫
s
s
s
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 10
妈,我
B
=
0
20
40
50
50
50
A
A
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE2
R
60至120
Q
90至180
P
130 260
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年3月
SJD00031AED
(7.6)
(1.5)
1.3
14.4
±0.5
3.0
+0.4
–0.2
1.5
+0
–0.4
1
2SB0952 , 2SB0952A
P
C
T
a
40
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
6
I
B
=–60mA
V
CE ( SAT )
I
C
10
T
C
=25C
I
C
/I
B
=30
T
C
=100C
25C
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
30
(1)
(1)T
C
= TA
(2)在一个50×50× 2毫米
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=1.3W)
5
–50mA
–45mA
–40mA
–35mA
–30mA
4
1
–25C
20
3
–25mA
–20mA
2
–15mA
–10mA
0.1
10
(2)
(3)
0
0
40
80
120
160
1
–5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
0.01
0.1
1
10
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
I
C
10
10
4
I
C
/I
B
=30
h
FE
I
C
V
CE
=–2V
f
T
I
C
10
4
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
(兆赫)
10
3
T
C
=100C
25C
10
3
1
T
C
=–25C
100C
25C
10
2
–25C
10
2
0.1
10
10
0.01
0.1
1
10
1
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
V
CB
导通时间t
on
,存储时间t
英镑
,下降时间t
f
(
s
)
t
on
, t
英镑
, t
f
I
C
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
安全工作区
100
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
I
C
t=10ms
t=1ms
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
10
4
10
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=30
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–20V
T
C
=25C
1
t
英镑
t
on
t
f
集电极电流I
C
(A)
10
3
10
10
2
1
t=300ms
0.1
10
0.1
2SB0952A
2SB0952
1
0.1
1
10
100
0.01
0
2
4
6
8
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2
SJD00031AED
2SB0952 , 2SB0952A
R
th
t
10
3
( 1 )不带散热片
(2)在50mm的
×
50 mm
×
2毫米铝散热片
(1)
(2)
10
热阻R
th
( ° C / W)
10
2
1
10
1
10
2
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
SJD00031AED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
功率晶体管
2SB952 , 2SB952A
PNP硅外延平面型
用于低压开关
10.0±0.3
1.5±0.1
8.5±0.2
6.0±0.5
3.4±0.3
单位:mm
1.0±0.1
s
特点
q
q
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
高速开关
N型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板,小型电子设备等。
(T
C
=25C)
评级
–40
–50
–20
–40
–5
–12
–7
30
1.3
150
-55到+150
单位
V
1.5max.
1.1max.
10.5min.
2.0
0.8±0.1
0.5max.
2.54±0.3
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SB952
2SB952A
2SB952
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
5.08±0.5
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N型套餐
单位:mm
3.4±0.3
1.0±0.1
8.5±0.2
6.0±0.3
发射极电压2SB952A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
14.7±0.5
4.4±0.5
00.4
V
A
A
W
10.0±0.3
1.5
–0.4
4.4±0.5
2.0
0.8±0.1
2.54±0.3
R0.5
R0.5
1.1最大。
5.08±0.5
C
C
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N型封装( DS )
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB952
2SB952A
2SB952
2SB952A
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= -2A ,我
B1
= -66mA ,我
B2
= 66毫安
条件
V
CB
= -40V ,我
E
= 0
V
CB
= -50V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -10mA ,我
B
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= – 0.1A
V
CE
= -2V ,我
C
= –2A
I
C
= -5A ,我
B
= – 0.16A
I
C
= -5A ,我
B
= – 0.16A
V
CE
= -10V ,我
C
= - 0.5A , F = 10MHz时
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
150
140
0.1
0.5
0.1
–20
–40
45
90
260
– 0.6
–1.5
V
V
兆赫
pF
s
s
s
典型值
最大
–50
–50
–50
单位
A
A
V
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE2
等级分类
Q
90至180
P
130 260
h
FE2
3.0
–0.2
+0.4
+0
1
功率晶体管
P
C
- TA
40
–6
(1) T
C
= TA
(2)在一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=1.3W)
I
B
=–60mA
–5
T
C
=25C
–50mA
–45mA
–40mA
–35mA
–30mA
–3
–25mA
–20mA
–2
–15mA
–10mA
–1
–5mA
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
2SB952 , 2SB952A
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–10
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=30
T
C
=100C
–3
25C
–1
–25C
集电极耗散功率P
C
(W)
30
集电极电流I
C
(A)
(1)
–4
20
– 0.3
– 0.1
10
(2)
(3)
0
– 0.03
– 0.01
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–10
I
C
/I
B
=30
10000
h
FE
— I
C
10000
V
CE
=–2V
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
— I
C
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
–3
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.1 – 0.3
T
C
=100C
25C
–1
T
C
=–25C
100C
– 0.3
25C
–25C
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1
过渡频率f
T
(兆赫)
–10
–30
–100
3000
– 0.3
–1
–3
–10
–1
–3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
10000
–10
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=30
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–20V
T
C
=25C
安全操作区( ASO )
–100
–30
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
–10
I
C
–3
–1
10ms
300ms
t=1ms
集电极输出电容C
ob
(PF )
3000
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.1 – 0.3
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
–3
–1
t
英镑
t
on
t
f
– 0.3
– 0.1
集电极电流I
C
(A)
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
2SB952
– 0.03
–30
2SB952A
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日(T )
— t
10
3
( 1 )不带散热片
(2)在一个50
×
50
×
2毫米铝散热片
(1)
(2)
10
2SB952 , 2SB952A
热阻R
th
(吨)( C / W)
10
2
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
查看更多2SB952APDF信息
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SB952A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
2SB952A
NAIS松下
2425+
11275
SOT-263
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
2SB952A
PANASONIC
25+23+
13050
SOT
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SB952A
PANASONIC/松下
21+
15360
TO-251
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