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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB896 2SB896A
描述
·带
TO- 220封装
ULOW
集电极饱和电压
高
高速开关
应用
For
低压开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SB896
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB896A
2SB896
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB896A
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-40
-5
-10
-15
35
150
-50~150
V
A
A
W
℃
℃
发射极开路
-50
-20
V
条件
价值
-40
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2SB896
I
C
= -10mA ;我
B
=0
2SB896A
V
CESAT
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SB896
2SB896A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= -7A ;我
B
=-0.23A
I
C
= -7A ;我
B
=-0.23A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
条件
2SB896 2SB896A
民
-20
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
-40
-0.6
-1.5
V
V
I
CBO
集热器
截止电流
-50
V
CB
= -50V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -2A ; V
CE
=-2V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
45
60
200
150
260
-50
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -2A ;我
B1
=-I
B2
=-66mA
0.1
0.5
0.1
μs
μs
μs
h
FE-2
分类
R
60-120
Q
90-180
P
130-260
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB896 2SB896A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB896 2SB896A
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
·高速开关
应用
·对于低电压开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SB896
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB896A
2SB896
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB896A
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
-40
-5
-10
-15
35
150
-50~150
V
A
A
W
发射极开路
-50
-20
V
条件
价值
-40
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SB896
I
C
= -10mA ;我
B
=0
2SB896A
I
C
= -7A ;我
B
=-0.23A
I
C
= -7A ;我
B
=-0.23A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
条件
符号
2SB896 2SB896A
民
-20
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
-40
-0.6
-1.5
V
V
V
CESAT
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SB896
2SB896A
I
CBO
集热器
截止电流
-50
V
CB
= -50V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -2A ; V
CE
=-2V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
45
60
200
150
260
-50
A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
A
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -2A ;我
B1
=-I
B2
=-66mA
0.1
0.5
0.1
s
s
s
h
FE-2
分类
R
60-120
Q
90-180
P
130-260
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB896 2SB896A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
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24C16B-EP
22-14-2204
25AA320XTE/ST
2N3266
2N2280
22-16-2161
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