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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB891F
描述
·采用TO- 126封装
·补键入2SD1189F
·低集电极饱和电压
应用
·对于低频功率放大器
应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
5
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-40
-32
-5
-2
-3
1.2
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
C
= -50μA ，我
E
=0
I
E
= -50μA ，我
C
=0
I
C
= -2.0A ;我
B
=-0.2A
V
CB
= -20V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-3V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V;f=30MHz
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
82
民
-32
-40
-5
2SB891F
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
-0.5
-0.8
-1.0
-1.0
390
V
A
A
100
50
兆赫
pF
h
FE-2
分类
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB891F
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB891F
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2SD1189F
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
低频功率放大器
应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
5
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-40
-32
-5
-2
-3
1.2
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -1mA ，我
B
=0
B
2SB891F
民
-32
-40
-5
典型值。
最大
单位
V
V
V
I
C
= -50μA ，我
E
=0
I
E
= -50μA ，我
C
=0
I
C
= -2.0A ;我
B
=-0.2A
V
CB
= -20V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-3V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V;f=30MHz
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
-0.5
-0.8
-1.0
-1.0
V
μA
μA
82
100
50
390
兆赫
pF
h
FE-2
分类
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB891F
图2外形尺寸
3
晶体管
中等功率晶体管（ 32V ， 2A ）
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
FFeatures
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （典型值）。
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.2A)
2 ）补充了
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 /
2SB911M
FStructure
外延平面型
NPN硅晶体管
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-217-B24)
256
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
257
晶体管
FPackaging
规格和h
FE
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
h
FE
值被分类如下：
FElectrical
特性曲线
258
晶体管
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
259
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2-111494-5
2SK2099-01L
2SK3746
262XR253B
282857-7
2-103639-6
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