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2SB874
PNP硅外延
应用
低频功率放大器互补对与2SD1177
概要
TO-220AB
1
2
3
1.基地
2.收集
(法兰)
3.辐射源
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意:
1.价值在T
C
= 25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
*
Tj
TSTG
1
等级
–100
–60
–5
–2
–3
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2SB874
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
–100
–60
–5
1
典型值
–0.6
250
50
最大
–1.0
–1.0
200
–1.4
–1.0
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= -1毫安,我
E
= 0
I
C
= -10毫安,R
BE
=
I
E
= -1毫安,我
C
= 0
V
CB
= -80 V,I
E
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
V
CE
= -5 V,I
C
= –0.5 A*
V
CE
= -5 V,I
C
= –2 A*
2
2
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
*
h
FE2
基地发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
增益带宽积
集电极输出电容
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
60
40
V
V
兆赫
pF
V
CE
= -5 V,I
C
= –2 A*
2
I
C
= -1.5 A I
B
= –0.15 A*
V
CE
= -5 V,I
C
= –0.5 A*
2
2
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
注:1. 2SB874为h分组
FE
如下。
2.脉冲测试
B
60至120
C
100至200
最大集电极耗散曲线
30
集电极耗散功率PC( W)
–10
安全工作区
i
C(峰值)
( -10 V , -3 A )
集电极电流I
C
(A)
–3
–1.0
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–2
( -20 V, -1 )
TA = 25°C
1次脉冲
( -13.3 V, -3 A )
( -30 V, -1.33 A)
s
1m
=
on
PW
ATI
ms
ER )
10
运25
°
C
DC =
(T
C
20
10
I
C(最大值)
( -10 V , -2 A )
( -60 V, -0.25 A)
( -60 V, -0.15 A)
( -60 V, -0.1 A)
–5 –10 –20
–50 –100 –200
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
2
2SB874
典型的输出特性
–1
–12 1
典型的传输特性
–2
–1.0
集电极电流I
C
(A)
–0.5
75°C
–0.2
–0.1
–0.05
V
CE
= –5 V
–0.02
–0.5
–1.0
–1.5
基极至发射极电压V
BE
(V)
T
C
= 25°C
–25°C
–1.0
–10
–9
集电极电流I
C
(A)
–0.8
–8
–7
–6
–5
–0.6
–4
–3
–0.4
–2
–0.2
T
C
= 25°C
0
= 1毫安
I
B
= 0
–2
–4
–6
–8
–10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
V
CE
= –5 V
直流电流传输比H
FE
500
T
C
= 75°C
200
100
–25°C
50
25°C
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
1,000
–1.0
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
–0.3
75°C
–0.1
25°C
T
C
= –25°C
–0.03
I
C
/I
B
= 10
–0.01
–0.02
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1
集电极电流I
C
(A)
–2
20
10
–0.02 –0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1
集电极电流I
C
(A)
–2
3
2SB874
通告
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本文中所描述。
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一方或日立
6.医疗应用:日立的产品不得用于医疗用途
应用程序,而日立的销售公司相应人员的书面同意。
这种使用包括,但不限于,生命维持系统中的使用。日立的产品购买者
请计划使用的产品用于医疗时,通知相关日立销售办事处
应用程序。
4
2SB874
株式会社日立制作所
半导体& IC事业部。
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100 ,日本
联系电话:东京( 03 ) 3270-2111
传真: ( 03 ) 3270-5109
欲了解更多信息,写信至:
日立美国有限公司
半导体& IC事业部。
2000塞拉利昂点百汇
布里斯班, CA. 94005-1835
美国
联系电话: 415-589-8300
传真: 415-583-4207
日立欧洲公司
电子元件组
欧洲大陆
Dornacher大街3
D- 85622克恩
慕尼黑
联系电话: 089-9 91 80-0
传真: 089-9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元器件事业部。
北欧总部
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA
英国
电话: 0628-585000
传真: 0628-778322
日立(亚洲) 。有限公司
16哥烈码头20-00 #
日立塔
新加坡0104
联系电话: 535-2100
传真: 535-1533
日立亚洲(香港)有限公司
单元706 ,北塔,
环球金融中心
海港城,广东道
尖沙咀,九龙
香港
联系电话: 27359218
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