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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第377页 > 2SB831
SMD型
PNP硅外延
2SB831
晶体管
IC
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
低频放大器。
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
T
英镑
等级
-25
-20
-5
-0.7
1
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比*
集电极到发射极饱和电压*
基极 - 射极电压*
*脉冲测试。
符号
Testconditons
民
-25
-20
-5
-1
85
240
-0.5
-1
V
V
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
V
（ BR ） CBO
I
C
= -10 IA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= -1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= -10 IA ，我
C
= 0
I
CBO
h
FE
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
CE
= -1 V，I
C
= -0.15 A
V
CE （ SAT ）
I
C
= -0.5 A，I
B
= -0.05 A
V
BE
V
CE
= -1 V，I
C
= -0.15 A
h
FE
分类
记号
的hFE
BB
85 170
BC
120 240
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
2SB831
PNP硅外延
应用
低频放大器
互补配对2SD1101
概要
MPAK
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
2SB831
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
P
C
Tj
TSTG
评级
–25
–20
–5
–0.7
–1
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
*
1
V
CE （ SAT ）
V
BE
民
–25
–20
–5
—
85
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
–1.0
240
–0.5
–1.0
V
V
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= –10
A,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= –10
A,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
CE
= -1 V，I
C
= –0.15 A*
2
I
C
= -0.5 A，I
B
= –0.05 A*
2
V
CE
= -1 V，I
C
= –0.15 A*
2
注：1. 2SB831为h分组
FE
如下。
2.脉冲测试
GRADE
标志
h
FE
B
BB
85至170
C
BC
120至240
见2SB561的特性曲线。
2
2SB831
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率PC（毫瓦）
150
100
50
0
50
100
150
环境温度Ta （C ）
3
单位：mm
2.95
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95 0.95
0.1
0.4
+ 0.05
–
0.4
– 0.05
+ 0.1
0.65
0.16
– 0.06
+ 0.1
1.5
±
0.15
+ 0.2
– 0.6
0 – 0.1
0.95
0.85
1.8
±
0.2
0.3
1.1
– 0.1
+ 0.2
0.65
0.4
– 0.05
+ 0.1
0.1
0.6
+ 0.05
–
2.8
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
MPAK-4
—
符合
0.013 g
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本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。
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收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。
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使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处
质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险
人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，
交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。
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对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装
条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时
超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期
失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -
保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它
间接损失是由于日立产品的操作。
5，本产品不设计成抗辐射。
6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不
书面批准日立。
7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题
产品。
株式会社日立制作所
半导体&集成电路。
立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本
联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真： （ 03 ） 3270-5109
网址
北美洲
： HTTP ： semiconductor.hitachi.com/
欧洲
： http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg
亚洲（新加坡）
： http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm
亚洲（台湾）
： http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm
亚洲（香港） ： http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm
日本
： http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm
欲了解更多信息，写信至：
日立半导体
（美国）有限公司
179东塔斯曼驱动器，
圣何塞， CA 95134
联系电话： <1> （ 408 ） 433-1990
传真： <1> （ 408 ） 433-0223
日立欧洲公司
电子元件组
Dornacher大街3
D- 85622克恩，慕尼黑
德国
联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0
传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元件组。
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA ，英国
联系电话： <44> （ 1628 ） 585000
传真： <44> （ 1628 ） 778322
日立（亚洲） 。有限公司
16哥烈码头20-00 ＃
日立塔
新加坡049318
联系电话： 535-2100
传真： 535-1533
日立亚洲有限公司
台北分公司
3F ，洪郭建设。 167号，
敦华北路，台北（ 105 ）
联系电话： <886> （ 2 ） 2718-3666
传真： <886> （ 2 ） 2718-8180
日立亚洲（香港）有限公司
第三组（电子元器件）
7 / F。 ，北塔，世界金融中心，
海港城，广东道，尖沙咀，
香港九龙
联系电话： <852> （ 2 ） 735 9218
传真： <852> （ 2 ） 730 0281
电传： 40815国际展贸中心HX
版权所有“日立制作所， 1999年保留所有权利。日本印刷。
2SB831
PNP硅外延
REJ03G0653-0200
（上ADE- 208-1033 ）
Rev.2.00
Aug.10.2005
应用
低频放大器
互补配对2SD1101
概要
瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A
（包名称： MPAK ）
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
P
C
Tj
TSTG
评级
–25
–20
–5
–0.7
–1
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
Rev.2.00 2005年8月10日第1页5
2SB831
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
集电极基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
集电极到发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
发射极基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
直流电流传输比
h
FE
*
1
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
基地发射极电压
V
BE
注：1. 2SB831为h分组
FE
如下。
2.脉冲测试
GRADE
B
C
标志
BB
BC
h
FE
85至170
120至240
民
–25
–20
–5
—
85
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
–1.0
240
–0.5
–1.0
单位
V
V
V
A
V
V
测试条件
I
C
= –10
A,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= –10
A,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
CE
= -1 V，I
C
= –0.15 A*
2
I
C
= -0.5 A，I
B
= –0.05 A*
2
V
CE
= -1 V，I
C
= –0.15 A*
2
Rev.2.00 2005年8月10日第2页5
2SB831
主要特点
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率PC（毫瓦）
150
–500
典型的输出特性
集电极电流I
C
（MA ）
–400
–2.5
–2.0
100
–300
–1.5
–200
–1.0
50
–100
-0.5毫安
I
B
= 0
0
50
100
150
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
3,000
典型的传输特性
–1,000
直流电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
–300
–100
–30
TA = 75℃
–10
–3
–1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
25°C
V
CE
= –1 V
1,000
V
CE
= –1 V
脉冲
300
100
TA = 75℃
25°C
30
10
–1
–3
–10
–30
–100
–300
–1,000
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
–0.5
–0.4
I
C
= 10 I
B
集电极电流I
C
（MA ）
集电极到发射极饱和电压
与基极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
= -300毫安
–0.8
–0.3
–0.6
–0.2
TA = 75℃
25°C
–0.4
–0.2
0
–1
–0.1
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1,000
–3
± 500毫安
–1.0
–10
–30
–100
集电极电流I
C
（MA ）
基极电流I
B
（MA ）
Rev.2.00 2005年8月10日第3页5
2SB831
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
（PF ）
500
200
100
50
F = 1 MHz的
I
E
= 0
20
10
5
–0.5 –1.0
–2
–5
–10
–20
–50
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第4
2SB831
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-59A
瑞萨代码
PLSP0003ZB-A
包名称
MPAK （ T） / MPAK （T ）V ，
MPAK / MPAKV
质量[典型值]
0.011g
D
e
A
Q
c
E
H
E
L
A
A
X M传
A
b
L
1
A
3
e
L
P
参考
符号
尺寸以毫米为单位
A
2
A
A
1
S
b
b
1
c
b
2
A-A部分
e
1
c
1
I
1
终端位置的区域格局
A
A
1
A
2
A
3
b
b
1
c
c
1
D
E
e
H
E
L
L
1
L
P
x
b
2
e
1
I
1
Q
民
1.0
0
1.0
0.35
0.1
2.7
1.35
2.2
0.35
0.15
0.25
喃
1.1
0.25
0.42
0.4
0.13
0.11
1.5
0.95
2.8
最大
1.3
0.1
1.2
0.5
0.15
3.1
1.65
3.0
0.75
0.55
0.65
0.05
0.55
1.05
1.95
0.3
订购信息
部件名称
2SB831BBTL-E
2SB831BCTL-E
3000
QUANTITY
中海集装箱
φ
178毫米卷轴， 8毫米浮雕大坪
注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年8月10日第5
产品speci fi cation
2SB831
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
低频放大器。
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
T
英镑
等级
-25
-20
-5
-0.7
1
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比*
集电极到发射极饱和电压*
基极 - 射极电压*
*脉冲测试。
符号
Testconditons
民
-25
-20
-5
-1
85
240
-0.5
-1
V
V
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
V
（ BR ） CBO
I
C
= -10 IA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= -1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= -10 IA ，我
C
= 0
I
CBO
h
FE
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
CE
= -1 V，I
C
= -0.15 A
V
CE （ SAT ）
I
C
= -0.5 A，I
B
= -0.05 A
V
BE
V
CE
= -1 V，I
C
= -0.15 A
h
FE
分类
记号
的hFE
BB
85 170
BC
120 240
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
查看更多2SB831PDF信息
推荐型号
2N1830
28C17A-15I/L
28C17A15I/L
208-8ST
27-66-4090
210-12MSTD
2SA844D
2N5416S
2SB1603A
24LC61-SN
2.22238E+11
24E18E40
2N2297
2SC3488
2SK4195LS
2SA1501P
20020107-H081A01LF
20Z-1A12D0
284539-8
2SC3739B12
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SB831
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ：936045363 复制

电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
2SB831
HITACHI
24+
8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
2SB831
RENESAS
15+
99000
SC59A
产品优势可售样板
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SB831
HITACHI/日立
2443+
23000
SOT-23
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
2SB831
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